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NJD2873T4G
TRANS NPN 50V 2A DPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #NJD2873T4G
- Paquet DPAK-3
- Fiche de données
- En stock4900
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| TransistorType | NPN |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 2 A |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50 V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 300mV @ 50mA, 1A |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 100nA (ICBO) |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 120 @ 500mA, 2V |
| Power-Max | 1.68 W |
| Frequency-Transition | 65MHz |
| OperatingTemperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vue d'ensemble
Description
This MOSFET typically operates at a maximum drain-source voltage (V_DS) of around 30V and has a continuous drain current rating (I_D) that allows it to handle significant power levels while maintaining efficiency. Its compact package size makes it ideal for space-constrained designs.
Key parameters to consider include gate threshold voltage, R_DS(on) (the resistance between drain and source in the on state), and thermal performance. When designing with the NJD2873T4G, proper thermal management and circuit protection are crucial for reliable performance. Its versatility and efficiency make it a popular choice among engineers for modern electronic applications.
Features
1. Output Voltage Regulation: It provides a stable output voltage, making it suitable for various electronic devices.
2. Input Voltage Range: Operates over a wide input voltage range, ensuring compatibility with diverse power sources.
3. High Efficiency: Designed to minimize power loss, enhancing overall system efficiency, which is crucial for battery-powered applications.
4. Thermal Protection: Includes built-in thermal shutdown to prevent damage under over-temperature conditions, ensuring reliability.
5. Compact Package: Available in a space-saving package, ideal for applications with limited board space.
6. Low Quiescent Current: Consumes minimal power in standby mode, extending battery life in portable devices.
7. Fast Transient Response: Offers quick response to load changes, maintaining stability in dynamic operating conditions.
These features make the NJD2873T4G suitable for applications in consumer electronics, automotive systems, and industrial devices.
Package
Pinout
Pin Functionality:
1. Gate1 (G1) - Input for the first N-channel MOSFET.
2. Drain1 (D1) - Drain terminal for the first N-channel MOSFET.
3. Source1 (S1) - Source terminal for the first N-channel MOSFET.
4. Gate2 (G2) - Input for the second N-channel MOSFET.
5. Drain2 (D2) - Drain terminal for the second N-channel MOSFET.
6. Source2 (S2) - Source terminal for the second N-channel MOSFET.
7. Common Source (CS) - Common source connection for both MOSFETs (if applicable).
8. N/C (No Connect) - Not connected or used.
This device is commonly used in power management and switching applications, providing efficient control of high currents.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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