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NDS0605
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
- Fabricant
- Mfr. Partie #NDS0605
- Paquet SOT23-3
- Fiche de données
- En stock7291
100% original & Nouveau
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Garantie 365 jours
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| ProductStatus | Active |
| FETType | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 180mA (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 2.5 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 79 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 360mW (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | SOT-23-3 |
Vue d'ensemble
Description
The course might include topics such as theoretical frameworks, practical applications, and tools relevant to the discipline. It may also involve hands-on projects, case studies, and assessments aimed at enhancing students' understanding and skills.
For accurate details about the curriculum, objectives, and prerequisites, it's best to consult the specific academic institution’s course catalog or syllabus related to NDS0605.
Features
1. Low Power Consumption: Optimized for energy efficiency, making it suitable for battery-operated devices.
2. Wide Frequency Range: Supports a broad frequency range, enhancing versatility in different applications.
3. High Sensitivity: Ensures reliable performance even in low signal conditions.
4. Robust Performance: Designed to operate under various environmental conditions, ensuring stability and reliability.
5. Compact Design: Small form factor allows for easy integration into compact devices.
6. Data Rate Support: Capable of handling high data rates, suitable for modern communication standards.
7. Flexible Interface Options: Offers various connectivity options for easy integration with other components.
These features make the NDS0605 suitable for IoT devices, wireless sensors, and other applications requiring efficient and reliable signal processing.
Package
Pinout
The pin configuration typically includes:
1. Gate 1 (G1) - Control terminal for the first MOSFET.
2. Drain 1 (D1) - Drain terminal for the first MOSFET.
3. Source 1 (S1) - Source terminal for the first MOSFET.
4. Gate 2 (G2) - Control terminal for the second MOSFET.
5. Drain 2 (D2) - Drain terminal for the second MOSFET.
6. Source 2 (S2) - Source terminal for the second MOSFET.
7. Drain/Source common (D/S) - Common connection point for the source/drain of the devices.
8. Thermal pad (if applicable) - For heat dissipation.
The device is designed to handle high currents and provides low on-resistance, making it efficient for power applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
Méthodes d'expéditionNous
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TNT: Les frais d'expédition varient de 25 à 65 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.
EMS: Les frais d'expédition varient de 30 à 50 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 7 à 15 jours ouvrables.
Courrier aérien enregistré: Le coût d'expédition est de 2 à 4 $ (0,1 kg), avec un délai de livraison estimé de 5 à 20 jours ouvrables.
Paiements
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2. Carte de crédit/débit
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