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NCE6003M
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- Mfr. Partie #NCE6003M
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Spécifications
| Manufacturer | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Package | SOT-89-3 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W |
| Drain to Source Voltage | 60V |
| RDS(on) | 120mΩ@4.5V,3A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V |
| Type | 1 N-channel |
| Gate Charge(Qg) | 7.5nC@30V |
| Input Capacitance(Ciss@Vds) | 510pF@30V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 26pF |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Voltage Rating: Supports high voltage operation, typically up to 30V.
2. Low Rds(on): Offers a low on-resistance, which enhances efficiency and minimizes heat generation during operation.
3. Fast Switching: Capable of high-speed switching, making it suitable for applications in DC-DC converters and motor control.
4. High Current Handling: Designed to handle significant continuous drain current, enhancing its application flexibility.
5. Thermal Stability: Features good thermal characteristics, allowing for reliable performance under varying temperature conditions.
6. Package Type: Available in compact packages that facilitate space-efficient designs on PCBs.
Overall, the NCE6003M is ideal for applications requiring efficient power management in consumer electronics, automotive, and industrial systems.
Package
Pinout
The pin configuration is as follows:
1. Gate (G) - Controls the MOSFET's switching operation.
2. Drain (D) - The output where the load is connected.
3. Source (S) - The input from the power supply.
4. Thermal Pad - Used for heat dissipation.
The NCE6003M is designed for low on-resistance and high-speed switching, making it suitable for various applications requiring efficient power management. Always refer to the specific datasheet for detailed electrical characteristics and ratings.
Manufacturer
Application
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