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NAND256W3A2BN6E
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
- Fabricant
- Mfr. Partie #NAND256W3A2BN6E
- Paquet
- Fiche de données
- En stock3419
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | NAND256 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND |
| Memory Size | 256Mbit |
| Memory Organization | 32M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | 50ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 48-TSOP |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 50 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key characteristics of the NAND256W3A2BN6E include its non-volatile nature, meaning it retains data even when power is removed. It employs a parallel interface for data transfer, which allows for efficient read and write operations. The chip's architecture supports basic memory operations like page read, block erase, and program, essential for managing data effectively.
Additionally, NAND Flash memory like the NAND256W3A2BN6E is valued for its high-density storage capabilities, cost-effectiveness, and durability, as it can withstand a limited number of program/erase cycles. However, it is important to pair it with appropriate error correction codes (ECC) to manage potential data integrity issues commonly associated with NAND Flash technology.
Features
1. Capacity: Offers a storage capacity of 256 Mb.
2. Architecture: Utilizes a 528-byte page size structure, enhancing data management and access speed.
3. Interface: Supports a standard NAND Flash interface, facilitating compatibility with various controllers.
4. Voltage: Operates at a low voltage of 1.8V, promoting energy efficiency.
5. Performance: Designed for fast read and write operations, optimizing data transfer rates.
6. Endurance: Provides a high number of program/erase cycles, ensuring long-term reliability and durability.
7. Error Correction: Incorporates error correction code (ECC) capabilities to maintain data integrity.
8. Package: Available in a compact TSOP package, allowing for integration in space-constrained applications.
9. Applications: Suitable for use in mobile devices, consumer electronics, and other applications requiring dependable and efficient data storage.
This component is ideal for designers seeking reliable, high-performance NAND Flash memory in compact form factors.
Package
Pinout
Key features include:
- A density of 256Mb.
- Organized in 16,896 blocks.
- Each block consists of 64 pages of 2112 bytes each.
- Supports standard NAND Flash interfaces for communication.
The chip is designed for applications that require high-density, cost-effective memory storage. It utilizes advanced NAND cell technology to deliver reliable performance and effective data storage solutions.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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