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NAND128W3A2BN6E
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
- Fabricant
- Mfr. Partie #NAND128W3A2BN6E
- Paquet
- Fiche de données
- En stock2242
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | NAND128 |
| DigiKey Programmable | Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND |
| Memory Size | 128Mbit |
| Memory Organization | 16M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | 50ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 48-TSOP |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 50 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key features include a fast read speed, typically around 200 MB/s, and a write speed that can vary based on the operational conditions. The NAND128W3A2BN6E utilizes advanced 3D NAND technology, enhancing reliability and endurance, with improved performance in terms of power efficiency and lower latency. It supports multiple interfaces, including ONFI (Open NAND Flash Interface), making it compatible with various controllers.
This chip is particularly valuable in applications requiring high-density storage, such as SSDs, and is designed to meet the demands of modern data-intensive usage scenarios.
Features
1. Interface: Supports the ONFI (Open NAND Flash Interface) standard for easy integration.
2. Density: Offers 128Mb capacity, suitable for compact storage needs.
3. Page Size: Typically features a page size of 2KB with multiple pages per block, optimizing read and write operations.
4. Block Size: Contains multiple 128KB blocks for efficient data management.
5. Endurance: Designed for high endurance, often rated for 3,000 to 10,000 program/erase cycles.
6. Data Retention: Maintains data integrity for up to 10 years under appropriate conditions.
7. Low Power: Engineered for low power consumption, making it suitable for battery-operated devices.
8. Temperature Range: Operates within a wide temperature range, ensuring reliability in various environments.
These features make the NAND128W3A2BN6E a versatile choice for modern memory storage solutions.
Package
Pinout
1. Data Pins (DQ0-DQ7): 8 pins for bi-directional data transfer.
2. Command Input (CLE): 1 pin for command latch enable.
3. Address Input (ALE): 1 pin for address latch enable.
4. Chip Enable (CE): 1 pin to select the chip.
5. Write Protect (WP): 1 pin to protect against accidental writes.
6. Ready/Busy (RY/BY): 1 pin to indicate the device status.
7. Reset (RESET): 1 pin to reset the device.
8. Vcc and Vss: Power supply and ground pins.
9. Other pins: Some are used for various control signals.
This device is typically used in applications requiring non-volatile storage, such as mobile devices, SSDs, and other embedded systems.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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