Les images sont à titre de référence seulement
MUN5211T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
- Fabricant
- Mfr. Partie #MUN5211T1G
- Paquet SC-70-3
- Fiche de données
- En stock3390
100% original & Nouveau
24 heures prêtes à expédier
Garantie 365 jours
RFQ et Obtenez plus de rabais
Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| ProductStatus | Active |
| TransistorType | NPN - Pre-Biased |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 100 mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50 V |
| Resistor-Base(R1) | 10 kOhms |
| Resistor-EmitterBase(R2) | 10 kOhms |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 35 @ 5mA, 10V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 500nA |
| Power-Max | 202 mW |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SC-70, SOT-323 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. High Integration: Combines multiple functionalities into a single chip, reducing board space and complexity.
2. Low Power Consumption: Optimized for energy efficiency, making it suitable for battery-operated devices.
3. Wide Frequency Range: Supports a broad spectrum of operational frequencies, enhancing versatility in applications.
4. Robust Performance: Delivers reliable performance under varying conditions, ensuring stability and longevity.
5. Advanced Interface Options: Supports multiple communication protocols, facilitating easy integration into existing systems.
6. Temperature Tolerance: Designed to operate effectively across a range of temperatures, suitable for industrial applications.
7. Compact Package Size: Small form factor, allowing integration into space-constrained designs.
Overall, the MUN5211T1G is ideal for applications in wireless communication, IoT devices, and embedded systems, providing a blend of efficiency, performance, and flexibility.
Package
Pinout
1. Gate 1 (G1) - Controls the first N-channel MOSFET.
2. Drain 1 (D1) - The drain terminal for the first MOSFET.
3. Source 1 (S1) - The source terminal for the first MOSFET.
4. Gate 2 (G2) - Controls the second N-channel MOSFET.
5. Drain 2 (D2) - The drain terminal for the second MOSFET.
6. Source 2 (S2) - The source terminal for the second MOSFET.
This device is primarily used for switching applications in power management and signal amplification. Each MOSFET can be independently controlled, making it versatile for various electronic circuit designs.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
Méthodes d'expéditionNous
offrir des services d'expédition mondiaux par DHL, FedEx, TNT, UPS ou tout autre expéditeur de votre choix.
Référence des frais d'expédition (DHL/FedEx):
DHL: Les frais d'expédition vont de 25 à 45 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 2 à 5 jours ouvrables.
FedEx: Les frais d'expédition varient de 25 à 40 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.
UPS: Les frais d'expédition vont de 25 à 45 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.
TNT: Les frais d'expédition varient de 25 à 65 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.
EMS: Les frais d'expédition varient de 30 à 50 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 7 à 15 jours ouvrables.
Courrier aérien enregistré: Le coût d'expédition est de 2 à 4 $ (0,1 kg), avec un délai de livraison estimé de 5 à 20 jours ouvrables.
Paiements
Payment Methods
Le terme de paiement est 100% prépayé.
Actuellement, nous n'acceptons que les méthodes de paiement ci-dessous:
1. PayPal
2. Carte de crédit/débit
3. Transfert bancaire
Similaire
-
MX25V1635FZNQ03
Macronix
-
MX29F400CBTI-70G
Macronix
-
MX25V4035FZUI
Macronix
-
MX25V2033FM1I
Macronix
-
MX25R3235FZNIL0
Macronix
-
MX25V16066M2I02
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX25R6435FBDIL0
Macronix
-
MX25L25673GMI-08G
Macronix
-
MX29GL512FHXFI-11..
Macronix
-
MX25U25643GZNI00
Macronix
-
MX25L2006EM1I-12G
Macronix