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MT48LC4M32B2P-6:G
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT48LC4M32B2P-6:G
- Paquet
- Fiche de données
- En stock6464
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | MT48LC4M32B2 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM |
| Memory Size | 128Mbit |
| Memory Organization | 4M x 32 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 167 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 12ns |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 86-TSOP II |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 5.5 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include:
- Density: 4Gb (Gigabits)
- Organization: 4 Megabytes x 32 bits
- Type: DDR3 SDRAM
- Voltage: Operates at 1.5V
- Package: Typically comes in a compact FBGA (Fine Ball Grid Array) package.
The "G" in the part number indicates that it is a green part, meaning it is environmentally friendly, often free from halogens and compliant with RoHS standards. This memory is used commonly in consumer electronics, telecommunications, and automotive applications where efficient data processing is required.
Features
1. Architecture: It has a 4M x 32-bit organization, meaning it contains 4 million 32-bit wide memory cells.
2. Speed: The "-6" indicates a maximum clock frequency of 333 MHz, allowing for a data rate of 667 MT/s (mega-transfers per second).
3. Technology: Built using a 90nm process technology, which enhances performance and reduces power consumption.
4. Power Supply: Operates on a 1.8V power supply, suitable for low-power applications.
5. Package: Available in a 60-ball FBGA (Fine Ball Grid Array) package, promoting a compact footprint for integration into devices.
6. Features: Supports burst read and write operations, self-refresh, and has a 4-bit prefetch architecture for improved bandwidth.
These features make the MT48LC4M32B2P-6 suitable for various applications, including computer memory modules and graphics systems.
Package
Pinout
Key functions of the pins include:
- Data Pins (DQ0-DQ31): 32 data lines for bi-directional data.
- Address Pins (A0-A11, BA0-BA1): Used for accessing specific rows and columns in memory.
- Control Pins: Include RAS, CAS, WE, and CS for read/write control.
- Clock Pin (CLK): Synchronizes data transfers.
- Chip Select (CS): Activates the chip for operation.
- Other Control Pins: Such as CKE (Clock Enable), which controls the power-saving mode, and ODT (On-Die Termination) for signal integrity.
This SDRAM operates at a clock frequency of up to 166 MHz with a CAS latency of 3 or 2.5, depending on the configuration. The part is designed for applications requiring high-speed memory access.
Manufacturer
Application
Equivalent
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