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MT48LC32M16A2P-75 IT:C
3V~3.6V 512Mbit 133MHz 54-TSOP II Memory (ICs)
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT48LC32M16A2P-75 IT:C
- Paquet
- Fiche de données
- En stock23986
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Spécifications
| Packaging | 54-TSOP II |
| Clock Frequency | 133MHz |
| Memory Size | 512Mbit |
| Operating temperature | -40℃~+85℃ |
| Voltage - Supply | 3V~3.6V |
Vue d'ensemble
Description
The "A2" denotes a specific manufacturing revision, and the "P" indicates it is a plastic package. The "75" refers to the speed grade, meaning it operates at a maximum clock frequency of 75 MHz. The "IT" signifies it is designed for industrial temperature ranges, making it suitable for environments with extreme temperatures. The "C" at the end typically represents the lead-free finish, aligning with environmental regulations.
Overall, this chip is built for reliability and performance in demanding applications, offering efficient data storage and retrieval capabilities.
Features
1. Density: 512 Megabits (32 Megabytes).
2. Organization: 32M x 16-bit configuration.
3. Speed: Operates at a clock frequency of 75 MHz, suitable for various applications requiring medium-speed memory.
4. Interface: Synchronous Dynamic RAM (SDRAM), providing high-speed access and lower latency.
5. Power Supply: Typically operates at 3.3V, with low power consumption suitable for battery-operated devices.
6. Temperature Range: Industrial temperature grade (-40°C to +85°C), making it suitable for harsh environments.
7. Packaging: Available in a lead-free package compliant with RoHS standards.
This memory chip is ideal for applications in telecommunications, automotive, and industrial systems demanding reliability and performance under varying ambient conditions.
Package
Pinout
Pin Functions:
1. Data Inputs/Outputs (DQ0-DQ15): 16 data lines for read/write operations.
2. Address Inputs (A0-A11): 12 lines to address the memory locations.
3. Chip Select (CS): Activates the memory chip.
4. Row Address Strobe (RAS): Selects the row for access.
5. Column Address Strobe (CAS): Selects the column for access.
6. Write Enable (WE): Controls write operations.
7. Clock (CLK): Synchronizes operations.
8. Burst Termination (BT): Used in burst mode operations.
9. Power (VDD, VSS): Power supply and ground connections.
This DRAM operates with a 75ns access time and is typically used in various computing applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
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