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MT48LC16M16A2P-7E:D
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT48LC16M16A2P-7E:D
- Paquet TSOP-54
- Fiche de données
- En stock4532
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Obsolete |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM |
| MemorySize | 256Mb (16M x 16) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 133 MHz |
| WriteCycleTime-WordPage | 14ns |
| AccessTime | 5.4 ns |
| Voltage-Supply | 3V ~ 3.6V |
| OperatingTemperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a supply voltage of 1.8V, which helps reduce power consumption while maintaining high-speed performance. The device supports synchronous operation with a burst length of 4, making it suitable for high-bandwidth memory applications.
The "P" in its designation indicates a plastic package, while the "D" signifies it's a RoHS-compliant device, ensuring it meets environmental regulations. Overall, the MT48LC16M16A2P-7E:D is a versatile and reliable choice for memory-intensive applications in consumer electronics and industrial devices.
Features
1. Density: 256 Megabits (16M x 16 configuration).
2. Speed: Operates at a maximum clock frequency of 133 MHz, supporting data rates up to 266 MT/s.
3. Organization: Dual bank architecture, allowing for improved performance through concurrent access.
4. Voltage Supply: Operates at 3.3V, with a low-power consumption design.
5. Access Time: Offers variable latency, with CAS latency of 2 or 3 depending on the speed grade.
6. Packaging: Available in a 54-pin TSOP II package, facilitating easier integration on PCBs.
7. Temperature Range: Typically rated for industrial and commercial temperature ranges.
This DRAM is ideal for applications requiring high-speed memory in systems like computers, networking devices, and communication equipment.
Package
Pinout
Key pin functions include:
- Data Pins (DQ0-DQ15): 16 data lines for data input/output.
- Address Pins (A0-A12): Used for addressing the memory locations.
- Control Pins:
- CS (Chip Select): Activates the chip.
- RAS (Row Address Strobe): Selects the row in memory.
- CAS (Column Address Strobe): Selects the column in memory.
- WE (Write Enable): Controls write operations.
- Clock Pins: Used for synchronizing operations.
- Power and Ground Pins: Provide necessary power supply and ground connections.
This chip operates at a speed of 7 ns, making it suitable for various high-speed memory applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix HY57V281620C
2. Micron MT48LC16M16A2P-75E
3. Samsung K4S281632C
Ensure to check specifications like speed, voltage, and packaging to confirm compatibility for your application.
Expédition
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