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MT47H64M8CF-25E:G
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT47H64M8CF-25E:G
- Paquet 60-TFBGA
- Fiche de données
- En stock4436
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Spécifications
| Supplier | Micron Technology Inc. |
| Package | Tray |
| ProductStatus | Obsolete |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR2 |
| MemorySize | 512Mb (64M x 8) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 400 MHz |
| WriteCycleTime-WordPage | 15ns |
| AccessTime | 400 ps |
| Voltage-Supply | 1.7V ~ 1.9V |
| OperatingTemperature | 0°C ~ 85°C (TC) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 60-TFBGA |
Vue d'ensemble
Description
- Organization: 64M x 8 (64 megawords x 8 bits) → 512 Mb total per die.
- Package: RoHS-compliant (G suffix), typically in a FBGA/related package.
- Type: DDR3L SDRAM (low-voltage DDR3), requires a memory controller.
- Speed/voltage: -25E denotes a specific Micron speed grade; operation typically around ~1.35 V (DDR3L) with data rates in the ~1066–1333 MT/s range depending on the grade. Exact timings and voltage per datasheet.
- Use: Not a standalone module; used as one memory device in a multi-device DIMM/subsystem controlled by a memory controller, forming a wider 64-bit bus across devices.
For exact electrical specs, timing, package details, and operating conditions, consult the Micron MT47H64M8CF-25E:G datasheet.
Features
- Capacity/organization: 512 Mb total (64M x 8)
- Interface: DDR2 SDRAM, unbuffered, synchronous
- Data width: 8-bit wide data bus
- Voltage: 1.8V VDD/VDDQ
- Architecture: 4-bank DDR2 with 4n prefetch
- Speed: supports up to DDR2-800 (depends on grade, timing, and operating conditions)
- Packaging: Pb-free RoHS-compliant (G suffix), typically in an FBGA package
- Refresh/operation: standard DDR2 auto-refresh/self-refresh support
- Applications: suitable for mobile/compact systems and memory modules requiring 512 Mb DDR2 RAM
Package
Pinout
- Function: 64M × 8-bit Mobile DDR2 SDRAM memory device with an 8-bit data bus; synchronous DDR2 memory supporting standard address, bank, command, data (DQ/DQS) lines for use as system RAM in mobile devices.
Manufacturer
- What kind of company: A global American semiconductor company that designs and manufactures memory and storage products (e.g., DRAM, NAND flash).
Application
Equivalent
- package code (FBGA variant)
- voltage (1.35V or 1.5V)
- speed grade (e.g., 1333/1066 MT/s)
- any timing/temperature specs
With these, I can give precise cross-references (e.g., SK hynix, Samsung equivalents).
Expédition
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