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MT46V64M8P-5B:J
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT46V64M8P-5B:J
- Paquet
- Fiche de données
- En stock2401
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Spécifications
| Part Status | Last Time Buy |
| Base Product Number | MT46V64M8 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR |
| Memory Size | 512Mbit |
| Memory Organization | 64M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 200 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Voltage - Supply | 2.5V ~ 2.7V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 66-TSOP |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 700 ps |
Vue d'ensemble
Description
The "P" in the part number typically signifies a package type, while the "J" designates a specific revision or variation of the product. This memory chip is commonly used in various applications, including computing devices and consumer electronics, due to its reliability and performance.
The MT46V64M8P-5B:J is designed for low power consumption and supports various data bus widths, making it suitable for mobile and embedded applications. Users should refer to the manufacturer's datasheet for detailed specifications, including pin configurations, electrical characteristics, and operational guidelines.
Features
1. Technology: It uses DDR (Double Data Rate) SDRAM technology, enhancing performance by transferring data on both rising and falling edges of the clock cycle.
2. Speed: It operates at a clock speed of 5 ns, which indicates its access speed.
3. Voltage: Typically operates at a voltage of 2.5V, suitable for low-power applications.
4. Package: This chip comes in a standard TSOP (Thin Small Outline Package) form factor, facilitating easy integration into various electronic devices.
5. Applications: Commonly used in consumer electronics, computing, and networking devices due to its reliability and efficiency.
These features make the MT46V64M8P-5B:J suitable for a range of applications, providing a balance between performance and power consumption.
Package
Pinout
1. Data Pins (DQ): 8 pins for data input/output.
2. Address Pins (A0-A11): 12 pins for addressing the memory locations.
3. Control Pins:
- CS (Chip Select): Enables the device.
- RAS (Row Address Strobe): Activates row selection.
- CAS (Column Address Strobe): Activates column selection.
- WE (Write Enable): Controls write operations.
4. Clock Pins (CLK, CLK#): Synchronizes operations.
5. Power Supply Pins (VDD, VSS): Provide power and ground connections.
6. Other Pins: Includes functions for refreshing and bank selection.
This chip is designed for high performance in applications requiring fast access memory.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix HY5DU281622ETP
2. Samsung K4S561632D-TC75
3. Micron MT46V64M8P-5A
Ensure compatibility by checking voltage, timing, and pin configuration when considering alternatives.
Expédition
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