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MT46V32M16P-5B IT:J
2.5V~2.7V 512Mbit 200MHz DDR SDRAM TSOP-66 Memory (ICs) RoHS
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT46V32M16P-5B IT:J
- Paquet
- Fiche de données
- En stock7421
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Spécifications
| Packaging | TSOP-66 |
| Clock Frequency | 200MHz |
| Current - Supply | 155mA |
| Memory Format | DDR SDRAM |
| Memory Size | 512Mbit |
| Operating temperature | -40℃~+85℃ |
| Refresh Current | 5mA |
| Voltage - Supply | 2.5V~2.7V |
Vue d'ensemble
Description
Key features include a wide data bus, low power consumption, and support for burst mode operations, enhancing the chip's performance in data-intensive tasks. The "P" in the part number indicates it is a Pb-free (lead-free) package, aligning with environmental standards. It is typically used in consumer electronics, networking devices, and industrial applications where reliable and fast memory is essential.
For further integration and operational specifics, developers can refer to the data sheet provided by Micron, which contains detailed information about electrical characteristics, timing specifications, and recommended operating conditions.
Features
- Frequency: Operates at a clock frequency of 166 MHz (DDR333).
- Voltage: Typical operating voltage of 2.5V, ensuring low power consumption.
- Package: Available in a 54-ball FBGA (Fine Ball Grid Array) package for compact design.
- Data Rate: Supports data rates up to 2.7 Gbps, enhancing performance for high-speed applications.
- Latency: Designed for low latency to improve response times in applications.
- Temperature Range: Industrial grade, typically operating in extended temperature ranges (-40°C to +85°C).
- ECC Support: Often supports error-correcting code for enhanced reliability in critical applications.
This memory is suitable for various applications, including networking, telecommunications, and industrial systems.
Package
Pinout
Key functions of this memory include:
1. Data Storage: It stores data in a dynamic format, requiring periodic refreshing.
2. High-Speed Operation: Supports high-speed data transfer rates, suitable for various applications.
3. Interface: It utilizes a double data rate (DDR) interface, allowing data to be transferred on both the rising and falling edges of the clock signal.
4. Low Voltage Operation: Designed to operate at low voltage (1.5V), which enhances power efficiency.
This chip is suitable for use in computing, networking, and embedded systems, providing reliable memory solutions for various electronic applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix HY5RS12821F
2. Samsung K4T1G164QE
3. Elpida EDE5116BGB
4. Micron MT47H32M16
Always check compatibility and specifications to ensure proper function.
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