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MT46H64M16LFBF-5 IT:B
1Gbit 1.7V~1.95V 200MHz LPDDR SDRAM 60-VFBGA (8x9) Memory (ICs) RoHS
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT46H64M16LFBF-5 IT:B
- Paquet
- Fiche de données
- En stock213
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Spécifications
| Packaging | 60-VFBGA (8x9) |
| Clock Frequency | 200MHz |
| Current - Supply | 120mA |
| Memory Format | LPDDR SDRAM |
| Memory Size | 1Gbit |
| Operating temperature | -40℃~+85℃ |
| Refresh Current | 1.3mA |
| Voltage - Supply | 1.7V~1.95V |
Vue d'ensemble
Description
This memory module is often used in embedded systems, telecommunications, and automotive applications due to its reliability and performance under varying environmental conditions. It features a 1.5V power supply, contributing to lower power consumption, which is crucial for battery-powered devices. The suffix "B" typically indicates the package type and other specific attributes related to the chip's design and manufacturing.
Features
- Configuration: 64 Meg x 16 bits (1 Gigabit capacity)
- Data Rate: Operates at a speed of DDR3-1066 (PC3-8500)
- Voltage: Requires a supply voltage of 1.5V, with a power-saving mode supporting 1.35V (DDR3L).
- Organization: Supports a dual-bank architecture, enhancing performance via interleaving.
- Latency: Offers low latency characteristics suitable for various applications like computers and embedded systems.
- Package Type: Typically comes in a 78-ball TFBGA (Thin-Fine Ball Grid Array) package.
- Operating Temperature: Industrial grade, suitable for operation in a temperature range from -40°C to +95°C, making it suitable for harsh environments.
- Features: Includes features such as self-refresh, write leveling, and on-die termination, improving reliability and performance.
This chip is ideal for applications requiring robust memory solutions in industrial settings.
Package
Pinout
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix H5TQ1G83CFR-12
2. Micron MT47H64M16HR-37
3. Samsung K4T1G164QE-HC4
4. Elpida EDBF4G16D2
Always confirm compatibility in terms of voltage, speed, and timing before replacement.
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