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MT41K512M16HA-125IT:A
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT41K512M16HA-125IT:A
- Paquet
- Fiche de données
- En stock3737
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Spécifications
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Process Technology | CMOS |
| Minimum Operating Supply Voltage (V) | 1.283 |
| Typical Operating Supply Voltage (V) | 1.35 |
| Maximum Operating Supply Voltage (V) | 1.45 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 95 |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.26 - 0.29(Min) |
| Package Width | 9 |
| Package Length | 14 |
| PCB changed | 96 |
| Standard Package Name | BGA |
| Supplier Package | FBGA |
| Pin Count | 96 |
| Lead Shape | Ball |
| Chip Density (bit) | 8G |
| Number of Bits/Word (bit) | 16 |
| Data Bus Width (bit) | 16 |
| Maximum Clock Rate (MHz) | 1600 |
| DRAM Type | DDR3L SDRAM |
| Organization | 512Mx16 |
| Number of Internal Banks | 8 |
| Number of Words per Bank | 64M |
| Address Bus Width (bit) | 19 |
| Operating Current (mA) | 185 |
| Number of I/O Lines (bit) | 16 |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a speed grade of 1250 Mbps, allowing for efficient data transfer rates. The 1.5V operating voltage enhances power efficiency, making it suitable for low-power applications. The suffix "A" indicates it adheres to specific industry standards, ensuring compatibility with various memory controllers.
Additionally, the chip supports features like on-die termination (ODT) and is available in a compact FBGA package, making it ideal for space-constrained environments. Overall, the MT41K512M16HA-125IT:A is a reliable choice for applications requiring robust memory performance, such as smartphones, tablets, and other portable devices.
Features
1. Density: 512 Megabits (64 Megabytes), organized as 16 bits wide.
2. Architecture: It employs a synchronous DRAM architecture for high-speed operation.
3. Data Rate: Operates at a data rate of 1066 MT/s (megatransfers per second).
4. Voltage: Designed for a low voltage of 1.5V, with a compatible option of 1.35V (DDR3L).
5. Package Type: Offered in a compact 78-ball TFBGA package, which saves space on PCBs.
6. Temperature Range: Industrial temperature range (–40°C to +95°C), suitable for harsh environments.
7. Features: Supports features like burst mode, auto-precharge, and deep power-down for efficient power management.
This chip is ideal for applications in mobile devices, networking equipment, and various embedded systems requiring efficient memory solutions.
Package
Pinout
Key functions of this memory include:
1. Data Storage: Provides volatile storage for data in various applications, such as computers and other electronic devices.
2. Bus Interface: Interfaces with the memory controller through a standard DDR3 memory bus, ensuring efficient data transfer.
3. Refresh Mechanism: Includes built-in refresh capabilities to maintain data integrity over time.
4. Power Management: Features low-power modes to improve energy efficiency.
Overall, this component is designed for high-performance memory applications in consumer electronics and computing devices.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix H5TQ2G83AFR
2. Samsung K4B4G1646D
3. Micron MT41K256M16HA-125
4. Nanya NT5CB256M16DP-125
Ensure compatibility in specifications such as voltage, speed, and configuration when considering alternatives.
Expédition
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