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MT41K256M8DA-107:K
IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT41K256M8DA-107:K
- Paquet
- Fiche de données
- En stock3026
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Spécifications
| Part Status | Last Time Buy |
| Base Product Number | MT41K256M8 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR3L |
| Memory Size | 2Gbit |
| Memory Organization | 256M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz |
| Voltage - Supply | 1.283V ~ 1.45V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 78-TFBGA |
| Supplier Device Package | 78-FBGA (8x10.5) |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 20 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a data rate of 1066 MT/s and a dual in-line memory module (DIMM) configuration. It operates at a voltage of 1.5V, making it suitable for energy-efficient designs. The memory supports various advanced features such as burst read/write modes and an on-die termination, enhancing performance and reliability.
The "K" suffix indicates that it is a commercial-grade component, suitable for standard operating conditions. The MT41K256M8DA-107:K is typically employed in situations where high performance and efficiency are required, making it a popular choice for system designers aiming for optimal memory solutions.
Features
1. Capacity: 2 GB (256 Meg x 8 bits).
2. Data Rate: Operates at a clock speed of 1066 MT/s (megatransfers per second).
3. Organization: 256M x 8 for efficient data handling.
4. Voltage: Operates at a low voltage of 1.5V, which helps in power efficiency.
5. Package: Available in a compact 78-ball FBGA (Fine Ball Grid Array) package.
6. Latency: Supports CL (CAS Latency) 7, facilitating quicker access to data.
7. Temperature Range: Designed for a wide temperature range, suitable for various applications.
8. Applications: Ideal for laptops, desktops, and servers requiring reliable and efficient memory solutions.
This module is designed for high performance and efficiency, making it suitable for a range of computing environments.
Package
Pinout
Key functions include:
- Data I/O: It has 8 data lines (DQ) for bi-directional data communication.
- Address Input: Inputs for addressing memory locations, allowing access to specific data.
- Control Signals: Pins for chip select (CS), write enable (WE), and clock (CK) signals to manage read/write operations.
- Power Management: Includes power supply pins for different voltage levels (VDD, VDDQ) necessary for operation.
- Command Interface: It supports various command inputs (like CAS, RAS) used to control memory operations.
This chip supports a data rate up to 1600 MT/s and operates at a voltage of 1.5V.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix H5TQ2G83BFR-PBC
2. Samsung K4B4G0846D
3. Micron MT41K256M8DA-125
4. Nanya NT5CB256M8HN
Ensure compatibility with pin layout, speed, and specifications before substituting.
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