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MT41K1G8TRF-125:E
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT41K1G8TRF-125:E
- Paquet FBGA-78
- Fiche de données
- En stock4500
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Obsolete |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR3L |
| MemorySize | 8Gb (1G x 8) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 800 MHz |
| AccessTime | 13.5 ns |
| Voltage-Supply | 1.283V ~ 1.45V |
| OperatingTemperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 78-TFBGA |
Vue d'ensemble
Description
- Type: DDR3 SDRAM, dynamic RAM.
- Density/organization: 1 Gbit per die, organized as 1G × 8 (one 8-bit wide device; multiple devices used for wider buses or higher capacities).
- Part/version: MT41K1G8TRF-125:E; “-125” is the speed grade, and “E” indicates RoHS-compliant. “TRF” refers to the specific package/trim/variant family.
- Typical supply: DDR3 class device (Vdd ≈ 1.5 V).
- Applications: used on memory modules (DIMMs/SODIMMs) and other systems requiring DDR3 DRAM.
This is a single DRAM die; in a module it would be combined with other devices to form the full memory capacity and bus width. For exact electrical timings (tRCD, tRP, tRAS, tRC), voltage, bank structure, package details, and recommended operating conditions, consult the MT41K1G8TRF-125:E datasheet from Micron.
Package
Pinout
- Function: Micron MT41K1G8TRF-125:E is a 1‑Gbit DDR3 SDRAM device with x8 organization (8 data I/O), typically 4 banks, with standard DDR3 signals (CK/CK#, CKE, CS#, RAS#, CAS#, WE#, A0–A13, BA0–BA3, DQ0–DQ7, DQS, DQSN, DM, Vcc, Vss).
Manufacturer
- What kind of company: An American multinational semiconductor company that designs and manufactures memory and storage technologies, including DRAM, NAND flash, and solid-state drives.
Application
- Desktop and notebook PCs as main memory
- Servers and data-center memory modules
- Graphics cards and high-end workstations
- Networking equipment, storage controllers, telecom hardware
- Embedded, industrial, and automotive electronics requiring DRAM
Equivalent
Expédition
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