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MT41J128M16HA-15E:D
IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT41J128M16HA-15E:D
- Paquet
- Fiche de données
- En stock2776
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | MT41J128M16 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR3 |
| Memory Size | 2Gbit |
| Memory Organization | 128M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 667 MHz |
| Voltage - Supply | 1.425V ~ 1.575V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 96-TFBGA |
| Supplier Device Package | 96-FBGA (9x14) |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 13.5 ns |
Vue d'ensemble
Description
This memory device is organized in a x16 configuration, allowing it to be easily integrated into memory modules. It also incorporates advanced power-saving features and is designed for high performance and reliability, with features such as self-refresh and burst read/write capabilities. The MT41J128M16HA-15E:D is available in a compact 78-ball TFBGA (Thin Fine Ball Grid Array) package, making it ideal for space-constrained applications.
Overall, it provides a balance of speed, efficiency, and capacity, making it a versatile choice for modern electronic systems.
Features
1. Type: DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory).
2. Density: 2GB (Gigabytes), comprising 128 Meg x 16 bits.
3. Organization: x16 organization, suitable for various applications.
4. Speed: Operates at a clock speed of 800 MT/s (Mega Transfers per second).
5. Voltage: Requires a power supply of 1.5V, with low power consumption options.
6. Package: Available in a 78-ball FBGA (Fine Ball Grid Array) package for compact integration.
7. Temperature Range: Commercial grade; operates within a temperature range of 0°C to 95°C.
8. Features: Supports burst read/write, random access, and has built-in self-test capabilities.
This memory is ideal for applications such as laptops, desktops, and embedded systems requiring efficient memory performance.
Package
Pinout
Key pin functions include:
- DQ0-DQ15: Data input/output lines.
- A0-A13: Address input lines for memory addressing.
- BA0-BA1: Bank address lines.
- CS: Chip select.
- RAS, CAS, WE: Control signals for read and write operations.
- CK, CK#: Clock inputs for synchronization.
- VDD, VDDQ: Power supply pins.
- VSS: Ground pin.
This chip is designed for high-speed operation and is suitable for various applications in computing and consumer electronics.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix H5TQ2G83AFR
2. Samsung K4B4G1646F
3. Micron MT41K128M16HA-15E
Ensure to check the specifications, such as pin configuration and voltage, for compatibility in your specific application.
Expédition
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