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MT41J128M16HA-125:D
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT41J128M16HA-125:D
- Paquet 96-TFBGA
- Fiche de données
- En stock2020
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Obsolete |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR3 |
| MemorySize | 2Gb (128M x 16) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 800 MHz |
| AccessTime | 13.75 ns |
| Voltage-Supply | 1.425V ~ 1.575V |
| OperatingTemperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 96-TFBGA |
Vue d'ensemble
Description
Key features include a high-speed interface, low power consumption, and built-in self-test capabilities. The '125' in the part number indicates a temperature range of -40°C to +85°C, making it suitable for industrial applications. The ':D' suffix denotes that the part is a DRAM device. It's ideal for applications requiring high-speed memory solutions, such as consumer electronics, networking equipment, and industrial systems. Overall, the MT41J128M16HA-125:D is a reliable choice for various high-performance computing needs.
Features
1. Memory Type: DDR3L SDRAM (Double Data Rate 3 Low Voltage Synchronous Dynamic RAM).
2. Density: 1GB (1 gigabit).
3. Organization: 128 Meg x 16 bits.
4. Operating Voltage: 1.35V, supporting low power consumption and enhanced battery life.
5. Speed: Operating at 1066 MT/s (mega transfers per second), with a data rate of 1600 MT/s.
6. Package: BGA (Ball Grid Array) with a compact form factor, suitable for modern mobile devices.
7. Temperature Range: Supports a wide temperature range, making it suitable for various applications.
This DRAM chip is ideal for smartphones, tablets, and other portable electronics, offering a balance of performance and efficiency.
Package
Pinout
Key features include:
- Density: 2GB (128 Meg x 16 bits)
- Data Rate: DDR3, supporting data rates of up to 1600 MT/s
- Voltage: Operates at a supply voltage of 1.5V (with a low-power option at 1.35V)
- Package Type: This part comes in a 78-ball FBGA (Fine Ball Grid Array) package.
The chip supports functions such as Read, Write, and Refresh operations, essential for temporary data storage in computing systems. It is designed for high-speed operation and energy efficiency in memory-intensive applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix H5TQ1G83EFR-PBC
2. Samsung K3RPG16E40M
3. Micron MT41K128M16HA-125
Always verify compatibility with specific applications, as performance and features may vary.
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