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MT40A4G4SA-062E:F
IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT40A4G4SA-062E:F
- Paquet
- Fiche de données
- En stock2357
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Spécifications
| Part Status | Last Time Buy |
| Base Product Number | MT40A4G4 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR4 |
| Memory Size | 16Gbit |
| Memory Organization | 4G x 4 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.5 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 78-TFBGA |
| Supplier Device Package | 78-FBGA (7.5x11) |
| Packaging | Bulk |
| Access Time | 19 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key features include:
- Type: DDR3 SDRAM
- Capacity: 4GB
- Data Rate: 1600 MT/s
- Voltage: 1.5V
- Form Factor: Typically SO-DIMM (for laptops) or DIMM (for desktops)
This module is suitable for enhancing system performance in applications requiring fast memory access and processing power. It is also backward compatible with DDR3L, allowing for flexibility in various systems.
Features
1. Type: DDR4 SDRAM (Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic RAM).
2. Density: 4GB (gigabytes) per module.
3. Configuration: 512 Meg x 64-bit organization.
4. Speed: Operates at a data rate of 2400 MT/s (megatransfers per second).
5. Voltage: Designed to operate at 1.2V, which provides improved energy efficiency compared to previous generations.
6. Form Factor: SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module), making it suitable for laptops and compact systems.
7. Features: Supports features like ECC (Error Correction Code) for enhanced reliability and system stability.
8. Temperature Range: Typically available in both standard and extended temperature ranges for various applications.
This module is ideal for laptops, desktops, and other devices requiring efficient and reliable memory performance.
Package
Pinout
Key functions of the pins include:
1. Data Pins: For data input and output (DQ0-DQ63).
2. Address Pins: To specify the memory address (A0-A15).
3. Control Pins: For command and control signals, including Chip Select (CS), Write Enable (WE), and Read Enable (RE).
4. Clock Pins: For clock signals (CK, CK#) that synchronize data transfers.
5. Power and Ground Pins: For voltage supply (VDD, VSS) to power the chip.
6. Baud Rate Control Pins: For managing the speed of operations.
This chip is designed for high-performance applications, providing various features such as increased bandwidth and lower power consumption compared to previous DDR generations.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix H5TQ4G83CFR
2. Samsung K4B4G0846F
3. Micron MT41K256M16HA-125
Always check specifications and compatibility for specific use cases.
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