MT40A256M16TB-062E:G

Les images sont à titre de référence seulement

MT40A256M16TB-062E:G

MOD DRAM 4GBIT PARALLEL FBGA

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #MT40A256M16TB-062E:G
  • Paquet 96-TFBGA
  • Fiche de données
  • En stock3687

100% original & Nouveau

24 heures prêtes à expédier

Garantie 365 jours

RFQ et Obtenez plus de rabais

Spécifications

Package Tray
ProductStatus Obsolete
MemoryType Volatile
MemoryFormat DRAM
Technology SDRAM - DDR4
MemorySize 4Gb (256M x 16)
MemoryInterface Parallel
ClockFrequency 1.6 GHz
WriteCycleTime-WordPage 15ns
AccessTime 19 ns
Voltage-Supply 1.14V ~ 1.26V
OperatingTemperature 0°C ~ 95°C (TC)
MountingType Surface Mount
Package/Case 96-TFBGA

Vue d'ensemble

Description

MT40A256M16TB-062E:G is a Micron DRAM device. Key points:
- Type/family: Micron MT40A256M16TB series DRAM chip.
- Density/organization: 256 megabits total, organized as 256M x 16 (32 MB per device).
- Use: a component die used in memory modules (DIMMs, server memory), not a standalone RAM module.
- Suffixes: “-062E” denotes a specific speed grade/temperature rating; “:G” indicates RoHS-compliant (lead-free).
- Specs: exact speed (data rate), timing, and operating voltage depend on the revision and datasheet. Check the Micron MT40A256M16TB datasheet or product page for the precise values.
If you need precise speed (MT/s), voltage, and timing, refer to the official datasheet for this exact part revision.

Package

FBGA-96 (96-ball fine-pitch Ball Grid Array) package.

Pinout

Pin count: 96 pins (FBGA package).
Function: Micron MT40A256M16TB-062E:G is a DDR3 SDRAM device, organized 256M × 16 (i.e., 4 Gbit total). It provides a standard DDR3 memory interface with 16 data lines (DQ0–DQ15) plus data-strobe lines (DQS) and the usual DDR3 address/command signals (A0–A12, BA0–BA2, CS, RAS, CAS, WE, CKE, ODT, etc.) and power/ground pins. It is used as synchronous memory with multiple banks (typically 8) for system memory.

Manufacturer

- Manufacturer: Micron Technology, Inc.
- What kind of company: An American multinational semiconductor company that designs and manufactures memory and storage technologies (DRAM, NAND flash); an integrated device manufacturer (IDM) headquartered in Boise, Idaho.

Application

MT40A256M16TB-062E:G is a DRAM device. Typical application areas:
- Graphics/video memory (GPUs, game consoles) for frame buffers and textures
- System memory for desktops, notebooks, and embedded platforms
- Networking/telecom equipment (buffers, caches)
- Industrial, automotive, and consumer electronics requiring moderate-capacity DRAM
- Storage controllers and accelerators as cache/memory buffers
Note: exact usage depends on system design and memory interface (e.g., DDR variation and speed).

Expédition

Méthodes d'expéditionNous

offrir des services d'expédition mondiaux par DHL, FedEx, TNT, UPS ou tout autre expéditeur de votre choix.


Référence des frais d'expédition (DHL/FedEx):

DHL: Les frais d'expédition vont de 25 à 45 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 2 à 5 jours ouvrables.

FedEx: Les frais d'expédition varient de 25 à 40 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.

UPS: Les frais d'expédition vont de 25 à 45 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.

TNT: Les frais d'expédition varient de 25 à 65 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.

EMS: Les frais d'expédition varient de 30 à 50 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 7 à 15 jours ouvrables.

Courrier aérien enregistré: Le coût d'expédition est de 2 à 4 $ (0,1 kg), avec un délai de livraison estimé de 5 à 20 jours ouvrables.

Paiements

Payment Methods

Le terme de paiement est 100% prépayé.

Actuellement, nous n'acceptons que les méthodes de paiement ci-dessous:

1. PayPal

2. Carte de crédit/débit

3. Transfert bancaire

Similaire