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MT40A1G16KD-062E:E
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT40A1G16KD-062E:E
- Paquet
- Fiche de données
- En stock4475
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | MT40A1G16 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR4 |
| Memory Size | 16Gbit |
| Memory Organization | 1G x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 96-TFBGA |
| Supplier Device Package | 96-FBGA (9x13) |
| Packaging | Bulk |
| Access Time | 19 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a data rate of up to 2400 MT/s, with a supply voltage of 1.2V, which contributes to lower power consumption compared to earlier memory technologies. The component supports features like CAS latency, which can vary depending on the configuration, and it adheres to the JEDEC standards for DDR4 memory.
Overall, the MT40A1G16KD-062E is ideal for applications requiring efficient data handling and quick access speeds, making it a vital component in modern computing environments.
Features
1. Capacity: 1 Gigabit (Gb), equating to 128 Megabytes (MB).
2. Configuration: It is organized as 16 bits x 8 banks, suitable for various applications including mobile and embedded systems.
3. Speed: Supports data rates of up to 2133 MT/s (megatransfers per second).
4. Voltage: Operates at a low voltage of 1.2V, contributing to energy efficiency.
5. Package: Available in a 78-ball TFBGA (Thin Fine Ball Grid Array) package for compact designs.
6. Temperature Range: Typically specified for commercial temperature ranges.
7. ECC support: May support error-correcting code (ECC) for improved data integrity.
This chip is ideal for applications requiring reliable and efficient memory solutions, such as consumer electronics and IoT devices.
Package
Pinout
The primary functions of this memory chip include data storage and retrieval in computing systems, particularly in devices requiring fast and efficient access to data, such as laptops and servers. It features a synchronous dynamic random access memory (SDRAM) interface, allowing it to synchronize with the system bus and provide high-speed data transfer.
In summary, the MT40A1G16KD-062E:E has 78 pins and serves as a DDR3 SDRAM, enabling fast data access and storage in modern electronic devices.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix H5TQ2G63AFR-H9C
2. Samsung K4B4G1646F-HCH9
3. Micron MT41K256M16HA-125
These alternatives have similar specifications, such as density, timing, and voltage. Always verify compatibility based on specific application requirements.
Expédition
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