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MT29F8G08ABACAWP:C
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT29F8G08ABACAWP:C
- Paquet
- Fiche de données
- En stock5913
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | MT29F8G08 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND |
| Memory Size | 8Gbit |
| Memory Organization | 1G x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 48-TSOP I |
| Packaging | Tray |
Vue d'ensemble
Description
Features
- Density: 8 Gbit (1 GB) NAND flash
- Architecture: Multi‑level cell (MLC) NAND with multi‑plane capability for high throughput
- Interface: ONFI‑compliant, x8 I/O data bus
- Page/Out‑of‑band: Page size and OOB area designed for ECC (exact sizes per page vary by part, see datasheet)
- Reliability features: Bad block management, ECC support (controller ECC required), data integrity features
- Operating voltages: Typical 3.3V I/O supply (core/other voltages per spec)
- Temperature grades: Commercial and industrial variants (range includes -40°C to 85°C in industrial; broader ranges in other grades)
- Endurance/retention: P/E cycles in the thousands (MLC) with long data retention under rated conditions
- Packaging: For this suffix, typically a standard NAND packaging option (consult datasheet for exact package code)
Note: Exact page size, block size, P/E limits, and voltage specs vary by revision/grade. For precise numbers, please refer to the MT29F8G08ABACAWP:C datasheet.
Package
Pinout
- Function: 8Gb (1GB) parallel NAND flash memory with 8-bit data bus. Uses address lines A0–A23 and standard NAND control signals: CLE, ALE, WE#, RE#, CE#, WP#, R/B#, plus Vcc and GND; IO0–IO7 (DQ0–DQ7) for data.
Manufacturer
- What kind of company: A US-based multinational semiconductor company that designs and manufactures memory and storage technologies (DRAM, NAND/NOR flash) for electronics and data centers.
Application
Expédition
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