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MT29F4G08ABBDAH4:D
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT29F4G08ABBDAH4:D
- Paquet 63-VFBGA
- Fiche de données
- En stock9808
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Spécifications
| Supplier | Micron Technology Inc. |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| MemoryType | Non-Volatile |
| MemoryFormat | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND |
| MemorySize | 4Gb (512M x 8) |
| MemoryInterface | Parallel |
| Voltage-Supply | 1.7V ~ 1.95V |
| OperatingTemperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 63-VFBGA |
Vue d'ensemble
Description
Features
- 4 Gbit NAND flash (512 MB) with x8 data I/O
- ONFI-compatible interface
- Page size: 2 KB data with ~64 B OOB (spare)
- Multi-plane operation (e.g., 2-plane for higher throughput)
- Core operations: read, program, erase; random and sequential access
- Cache/program and copy-back programming capabilities
- Bad-block management and ECC support (BCH) with controller
- Typical endurance around 100K P/E cycles; data retention ~10 years (at 25°C)
- 48‑pin package (TSOP) (standard Micron NAND packaging)
Note: exact timings and some parameter values vary by device revision and operating conditions; consult the datasheet for precise figures.
Package
Pinout
Function: Micron MT29F4G08ABBDAH4:D is a 4‑Gbit NAND flash memory with a parallel 8‑bit data bus. It uses standard NAND control signals (CLE, ALE, /WE, /RE, /CS, /WP), 8 data I/O lines (DQ0–DQ7), Ready/Busy, plus Vcc and GND.
Manufacturer
- Company type: American multinational semiconductor company specializing in memory and storage technologies (DRAM, NAND/NOR flash) for computers, mobile, and data-center applications.
Application
Equivalent
Expédition
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