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MT29F2G16ABAEAWP:E
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT29F2G16ABAEAWP:E
- Paquet
- Fiche de données
- En stock6109
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND |
| Memory Size | 2Gbit |
| Memory Organization | 128M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 48-TSOP I |
| Base Product Number | MT29F2G16 |
Vue d'ensemble
Description
Key features of the MT29F2G16ABAEAWP:E include a storage capacity of 2 gigabits, organized in a multiple-level cell (MLC) architecture. It operates on a 3.3V power supply, which makes it suitable for portable and power-sensitive devices. The chip is designed with a x16 I/O interface, allowing for efficient data throughput.
The MT29F2G16ABAEAWP:E is typically used in applications such as smartphones, tablets, digital cameras, and other consumer electronics where compact, reliable, and efficient storage is required. Its compact package and robust performance make it a popular choice among manufacturers looking to incorporate NAND Flash technology into their products.
Features
Key features include:
- A 3.3V power supply voltage.
- A page size of 2,112 bytes, including the spare area.
- A block size of 64 pages, which totals 128KB plus spare bytes.
- A minimum endurance of 100,000 program/erase cycles.
- A data retention time of 10 years.
The device is commonly used in embedded applications, where high endurance and reliability are critical. Its compact TSOP (Thin Small Outline Package) makes it suitable for space-constrained environments. The MT29F2G16ABAEAWP:E is designed to work in industrial temperature ranges, supporting diverse application needs.
Package
Pinout
The key functions of this NAND flash memory include storing program code, data, and boot code for electronic devices. It supports typical NAND operations such as program, erase, and read, with the ability to handle large block operations efficiently. The device is designed to interface easily with microcontrollers and processors that handle flash memory, thanks to its standard I/O interface.
Its main applications are in consumer electronics, embedded systems, and industrial applications where reliable, high-density non-volatile storage is required.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Samsung: K9F2G08U0C - 2Gb NAND Flash.
2. Toshiba/Kioxia: TH58NVG2S3HBAI4 - 2Gb NAND Flash.
3. SK Hynix: H27U2G8F2CTR - 2Gb NAND Flash.
4. Intel: 29F2G08ABAEA - 2Gb NAND Flash.
These equivalents have similar capacities and configurations but may have different performance characteristics and package types. Always check datasheets for detailed compatibility.
Expédition
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