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MT29F128G08CFABBWP-12IT:B
IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
- Fabricant
- Mfr. Partie #MT29F128G08CFABBWP-12IT:B
- Paquet
- Fiche de données
- En stock8956
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Spécifications
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | MT29F128G08 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND |
| Memory Size | 128Gbit |
| Memory Organization | 16G x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 83 MHz |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 48-TSOP I |
| Packaging | Tray |
Vue d'ensemble
Description
The part number indicates key specifications: "MT" denotes Micron, "29F" signifies NAND flash technology, "128G" indicates the capacity, and "08" refers to the organization of the memory cells. The suffixes "CFABBWP" specify additional features like packaging and temperature range, while "12IT" indicates the speed grade and industrial temperature rating.
This NAND flash is suitable for applications in consumer electronics, automotive systems, and industrial solutions, providing fast read and write speeds, low power consumption, and robust reliability for data storage needs.
Features
1. Capacity: 128 Gb (16 GB) storage capacity, suitable for various applications.
2. Interface: Supports ONFI (Open NAND Flash Interface) standards, enabling compatibility with various host devices.
3. Architecture: Utilizes a 2-bit per cell (MLC) architecture for enhanced data storage density.
4. Data Transfer Rates: Offers high-speed read/write operations, typically up to 400 MB/s.
5. Endurance: Designed for high endurance, supporting a significant number of program/erase cycles (around 3,000 to 10,000 cycles).
6. Form Factor: Available in a compact BGA (Ball Grid Array) package, facilitating space-saving designs in electronic products.
7. Power Management: Features low power consumption modes, making it suitable for battery-operated devices.
8. Error Correction: Supports advanced error correction features to ensure data integrity.
This chip is ideal for applications such as SSDs, mobile devices, and embedded systems requiring reliable and high-performance storage solutions.
Package
Pinout
Key functions of the pins include:
- Commands: For various operations such as read, write, and erase.
- Data I/O: Pins dedicated to data input and output.
- Control Signals: Including CE (Chip Enable), RE (Read Enable), WE (Write Enable), and WP (Write Protect).
- Addressing: Used to select memory locations during read/write operations.
- Power: Vcc for power supply and Vss for ground.
This device supports advanced features like ONFI (Open NAND Flash Interface) and has a 12 ns access time, making it suitable for high-performance applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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