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MSCSM120DUM042AG

PM-MOSFET-SIC-SP6C

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Spécifications

Package	Bulk
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	495A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	5.2mOhm @ 240A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	2.8V @ 6mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	1392nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	18100pF @ 1000V
Power-Max	2031W (Tc)
OperatingTemperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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