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MSCSM120AM08CT3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

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Spécifications

Package	Tube
ProductStatus	Active
FETType	2 N Channel (Phase Leg)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	337A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	7.8mOhm @ 160A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	2.8V @ 4mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	928nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	12.08pF @ 1000V
Power-Max	1.409kW (Tc)
OperatingTemperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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