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MMRF1316NR1
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270
- Fabricant
- Mfr. Partie #MMRF1316NR1
- Paquet SOT1736-1
- Fiche de données
- En stock7485
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| TransistorType | LDMOS (Dual) |
| Frequency | 230MHz |
| Gain | 27dB |
| Voltage-Test | 50 V |
| Current-Test | 100 mA |
| Power-Output | 300W |
| Voltage-Rated | 133 V |
| Package/Case | TO-270-4 |
Vue d'ensemble
Description
Features
- Frequency Range: Operates effectively up to 2.5 GHz, making it suitable for various RF applications.
- Power Handling: Capable of handling a maximum drain-source voltage (V_DS) of 50V and a maximum drain current (I_D) of 16A.
- Low On-Resistance (R_DS(on)): Ensures efficient power transfer and reduced heat generation, enhancing overall performance.
- High Gain: Provides substantial voltage and power gain, useful for amplification in RF circuits.
- Robust Package: Available in a reliable surface-mount package (DFN) for easy integration into compact designs.
- Thermal Performance: Features excellent thermal stability and performance, crucial for high-power applications.
Overall, the MMRF1316NR1 is well-suited for use in amplifiers, switches, and other applications requiring efficient RF performance.
Package
Pinout
1. Input: Pin for RF input signal.
2. Output: Pin for RF output to the antenna or load.
3. Ground: Common ground connection.
4. VDD: Power supply pin providing the necessary voltage for operation.
5. Bias Control: Pin for setting the biasing conditions.
6. NC (No Connection): Pin that should not be connected to any circuit.
This component is often used in cellular, Wi-Fi, and other communication systems to amplify signals, ensuring efficient transmission and reception. Always refer to the specific datasheet for detailed pin configurations and electrical characteristics.
Manufacturer
Application
Equivalent
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