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M58LT128HST8ZA6E
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80LBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #M58LT128HST8ZA6E
- Paquet
- Fiche de données M58LT128HST8ZA6E DataSheet
- En stock4943
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Spécifications
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| Memory Size | 128Mbit |
| Memory Organization | 8M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 52 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 85ns |
| Access Time | 85 ns |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 2V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 80-LBGA |
| Supplier Device Package | 80-LBGA (10x12) |
| Base Product Number | M58LT128 |
Vue d'ensemble
Description
Key characteristics include:
- Memory Organization: 16 K x 8 bits
- Interface: Serial or parallel access, depending on the configuration
- Voltage Range: Typically operates between 2.7V and 5.5V
- Endurance: Supports at least 1 million write/erase cycles
- Data Retention: Generally exceeds 20 years
This component is commonly used in consumer electronics, automotive applications, and industrial devices, where reliable and durable memory storage is essential.
Features
1. Memory Density: 128 Megabits, suitable for data storage in embedded systems.
2. Interface: Synchronous interface for high-speed data transfers, enhancing performance in applications.
3. Architecture: Supports a page-based architecture, which allows for efficient read and write operations.
4. Endurance: Typically rated for high endurance cycles, making it reliable for applications requiring frequent write and erase operations.
5. Low Power Consumption: Designed for low power operation, ideal for battery-powered devices.
6. Data Retention: Ensures data retention over a specified time, often up to 20 years at 25°C.
7. Temperature Range: Operates within a wide temperature range, suitable for various environments.
This NAND Flash memory device is commonly used in consumer electronics, automotive applications, and industrial systems for data storage and management.
Package
Pinout
1. Data Input/Output (DQ0-DQ7): These pins facilitate data transfer to and from the memory.
2. Address Pins (A0-A17): These pins are used to select specific memory addresses during read and write operations.
3. Control Pins:
- WE (Write Enable): Activates write operations.
- RE (Read Enable): Activates read operations.
- CE (Chip Enable): Enables the chip for operation.
- OE (Output Enable): Enables data output.
4. VCC: Supply voltage pin.
5. GND: Ground connection.
6. NC (Not Connected): Pins not used internally, typically left unconnected.
This configuration allows for efficient memory operations in various embedded and consumer applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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