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M58BW016FB7T3F
IC FLASH 16MBIT CFI 80PQFP
- Fabricant
- Mfr. Partie #M58BW016FB7T3F
- Paquet
- Fiche de données
- En stock9391
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Spécifications
| Part Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - Boot Block |
| Memory Size | 16Mbit |
| Memory Organization | 512K x 32 |
| Memory Interface | CFI |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 80-BQFP |
| Supplier Device Package | 80-PQFP (14x20) |
| Base Product Number | M58BW016 |
| Access Time | 70 ns |
Vue d'ensemble
Description
Key features include:
1. Memory Density: 16Mb capacity, allowing for substantial data storage.
2. Interface: Offers a parallel interface for easy integration with microcontrollers and other digital systems.
3. Read/Write Performance: Fast read access times and efficient programming speeds enhance overall system performance.
4. Endurance and Reliability: Designed for multiple erase and write cycles, ensuring longevity in demanding applications.
5. Operating Voltage: Typically operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V, making it suitable for battery-powered devices.
This component is ideal for firmware storage, code execution, and data logging in consumer electronics, automotive systems, and industrial applications.
Features
1. Memory Type: NOR Flash memory, allowing for easy random access and fast read speeds.
2. Interface: Parallel interface supporting asynchronous access.
3. Operating Voltage: Typically operates between 2.7V and 3.6V, making it suitable for low-power applications.
4. Access Time: Fast read access time, typically around 70 ns.
5. Data Retention: Offers a data retention period of up to 20 years, ensuring long-term reliability.
6. Endurance: Supports a minimum of 10,000 program/erase cycles.
7. Package Options: Available in various packages, including TSOP and BGA, for versatile integration into designs.
8. Sector Architecture: Features a flexible sector architecture, allowing for partial erases and programming, enhancing efficiency.
These features make the M58BW016FB7T3F suitable for applications in consumer electronics, automotive, and industrial sectors.
Package
Pinout
### Pin Count:
- Total Pins: 48
### Functions of Key Pins:
- A0-A18: Address inputs for memory access.
- DQ0-DQ7: Data input/output pins for reading and writing data.
- Vcc: Supply voltage (typically 2.7V to 3.6V).
- Vss: Ground reference.
- CE: Chip Enable, active low signal to enable the device.
- OE: Output Enable, active low signal to control output data.
- WE: Write Enable, active low signal for write operations.
- RESET: Reset pin to initialize the device.
- WP: Write Protect, to prevent write operations.
This device is suitable for various applications requiring non-volatile memory storage.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Micron MT28EW016ABA
2. Spansion S29GL016M
3. Winbond W29N016JVSIC
4. ON Semiconductor N25Q016A
Always verify specific parameters and compatibility for your application.
Expédition
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