M29W640GL70ZS6E

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M29W640GL70ZS6E

IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #M29W640GL70ZS6E
  • Paquet 64-LBGA
  • Fiche de données
  • En stock3702

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Spécifications

Package Tray
ProductStatus Obsolete
MemoryType Non-Volatile
MemoryFormat FLASH
Technology FLASH - NOR
MemorySize 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
MemoryInterface Parallel
WriteCycleTime-WordPage 70ns
AccessTime 70 ns
Voltage-Supply 2.7V ~ 3.6V
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C (TA)
MountingType Surface Mount
Package/Case 64-LBGA

Vue d'ensemble

Description

M29W640GL70ZS6E is a 64-Mbit NOR flash memory device in the M29W family (Spansion/Cypress lineage). It provides non-volatile, byte-addressable storage for embedded systems, typically used for firmware and boot code. The device operates from a 3.0–3.6 V supply (3.3 V class) and offers about 70 ns read access time on a parallel data bus (x8 and/or x16). It is organized into blocks/sectors that can be erased and reprogrammed; programming is asynchronous with a standard NOR flash interface. Endurance is around 10^5 program/erase cycles per sector, with data retention commonly ~20 years. It comes in common packages (e.g., TSOP/SOP) suitable for embedded boards and supports execute-in-place (XIP) or copy-to-RAM usage. Compared with NAND flash, NOR provides easy random access and direct code execution, at the cost of higher cost per bit and typically lower density. For exact electrical characteristics, timing, and package options, consult the official datasheet for M29W640GL70ZS6E.

Features

M29W640GL70ZS6E is a 64‑Mbit NOR Flash memory device. Key features:
- Capacity: 64 Mbit (8 MB) NOR Flash
- Interface: 8‑bit data bus (x8)
- Voltage: 2.7–3.6 V (3.0 V nominal)
- Speed: ~70 ns read access time
- Erase/Program: sector/block erase and chip erase; page program (typically up to 256 bytes)
- Operations: standard Read/Program/Erase with program/erase suspend and resume
- Power: low-power standby with deep power-down
- Reliability: data retention ~20 years; endurance ~100k erase/program cycles (typical)
- Protection: hardware block protection and security features
- Temperature: wide range, typically -40°C to 85°C (industrial)
- Packaging/Compliance: RoHS-compliant (Pb-free)
These specs are representative for the M29W640GL70ZS6E family; always verify with the official datasheet for exact numbers per revision.

Package

48-pin TSOP (SO-48) package, Pb-free (RoHS).

Pinout

Pin count: 48 pins.
Function: 64‑Mbit NOR flash memory (8‑bit data bus) for code/data storage. Provides address inputs A0–A22, data I/O pins DQ0–DQ7, and standard controls (CE#, OE#, WE#), plus power and ground pins (VCC/GND; package may include VCCQ depending on variant).

Manufacturer

Manufacturer: STMicroelectronics (ST).
What kind of company: A multinational European semiconductor and electronics company that designs, develops, and manufactures a wide range of ICs and semiconductor products, including memory, microcontrollers, analog, power, and sensors.

Application

- Embedded MCUs/SoCs: boot ROM, firmware storage, execute-in-place (XIP)
- Automotive: ECUs, infotainment, dashboards
- Consumer electronics: set-top boxes, TVs, cameras, printers
- Networking/telecom: routers, switches, modems
- Industrial control: PLCs, instrumentation
- BIOS/firmware storage in SBCs/motherboards
Note: M29W640GL70ZS6E is a 64-Mbit NOR flash used for code/firmware storage in these applications.

Equivalent

Common equivalents (64-Mbit parallel NOR, 3.0V, ~70ns):
- Spansion: S29GL064G (S29GL064G1)
- Macronix: MX29GL064E (MX29GL640/64x)
- Winbond: W29GL064E (W29GL064D)
Note: exact cross-ref depends on voltage, package, and speed grade; verify against the datasheet and marking.

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