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M29F800FB5AN6E2
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
- Fabricant
- Mfr. Partie #M29F800FB5AN6E2
- Paquet
- Fiche de données
- En stock5668
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Spécifications
| Part Status | Active |
| Base Product Number | M29F800 |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| Memory Size | 8Mbit |
| Memory Organization | 1M x 8, 512K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 48-TSOP I |
| Packaging | Tray |
| Access Time | 55 ns |
| Grade | Automotive |
| Qualification | AEC-Q100 |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include:
- Architecture: It uses a NAND flash memory structure, allowing for efficient storage and retrieval of data.
- Operating Voltage: Typically operates at 3.0 to 3.6 volts.
- Access Times: Provides fast read access times, making it suitable for applications requiring quick data retrieval.
- Data Retention: Offers a long data retention span of up to 20 years, ensuring data integrity over time.
- Interface: It utilizes a standard parallel interface for ease of integration into various systems.
Overall, the M29F800FB5AN6E2 is a versatile and reliable option for applications that require non-volatile memory solutions.
Features
1. Storage Capacity: 8Mb, organized as 1,048,576 x 8 bits.
2. Interface: Parallel interface for easy integration with various microcontrollers and processors.
3. Performance: Fast read access time of up to 70 ns, enabling efficient data retrieval.
4. Programming Time: Typically requires around 10 ms per word.
5. Endurance: Offers up to 100,000 write/erase cycles per sector.
6. Data Retention: Guaranteed data retention for up to 20 years under specified conditions.
7. Flexible Architecture: Supports bulk erase and sector erase modes, allowing for efficient memory management.
8. Low Power Consumption: Designed for low power operation, making it suitable for battery-powered applications.
9. Compatibility: Available in various packages and voltages, enhancing compatibility with different systems.
This device is ideal for applications requiring reliable non-volatile memory storage, such as in embedded systems and consumer electronics.
Package
Pinout
The pinout includes the following key functions:
- Address Inputs (A0-A18): Used to select memory addresses.
- Data Inputs/Outputs (D0-D7): Serve as the data bus for reading and writing operations.
- Control Pins:
- Chip Enable (CE): Activates the chip for read or write operations.
- Output Enable (OE): Controls output data during read operations.
- Write Enable (WE): Enables write operations.
- Ready/Busy (RY/BY): Indicates the status of the memory operation.
- VCC: Power supply.
- GND: Ground connection.
This chip is commonly utilized in applications requiring firmware storage and data retention.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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