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M29F200FB55N3F2
NOR Flash PARALLEL NOR SLC 128KX16 TSOP
- Fabricant
- Mfr. Partie #M29F200FB55N3F2
- Paquet
- Fiche de données
- En stock25232
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Spécifications
| Packaging | MouseReel |
| Standard Pack Qty | 1500 |
Vue d'ensemble
Description
Key features include:
- Access Time: Typically 55 nanoseconds, allowing for fast read operations.
- Programming: It supports both single-byte and full-chip programming modes.
- Data Retention: Guaranteed data retention for up to 20 years.
- Endurance: Capable of withstanding up to 10,000 program/erase cycles per sector.
- Package Options: Available in various packages, including DIP and TSOP, for versatile integration.
Due to its reliability and efficiency, the M29F200FB55N3F2 is often used in consumer electronics, automotive applications, and industrial devices where durable and stable memory is essential.
Features
1. Memory Type: Flash EEPROM technology, allowing for electrical erasure and reprogramming.
2. Access Speed: It offers a fast access time of 55 ns, enabling quick data retrieval.
3. Voltage Range: Operates at a nominal voltage of 3.0V to 3.6V, making it suitable for low-power applications.
4. Interface: Compatible with standard parallel interface for easy integration with microcontrollers and other digital circuits.
5. Endurance: Typically supports 100,000 write/erase cycles, ensuring durability for frequent updates.
6. Data Retention: Maintains data integrity for over 20 years under proper conditions.
7. Package: Available in various packages like TSOP48, facilitating space-efficient designs.
8. Sector Erase: Supports sector-wise erasure for flexible memory management.
These features make the M29F200FB55N3F2 a versatile choice for applications requiring reliable non-volatile storage.
Package
Pinout
### Pin Functions:
1. A0-A18: Address inputs for selecting memory locations.
2. DQ0-DQ7: Data input/output lines for reading and writing data.
3. WE: Write Enable – controls the write operations.
4. RE: Read Enable – controls the read operations.
5. CE: Chip Enable – activates the chip for operation.
6. OE: Output Enable – allows data output.
7. VCC: Supply voltage (typically +3.0V to +3.6V).
8. GND: Ground.
9. BP0, BP1: Block Protect inputs for protecting memory sectors from accidental write/erase.
10. NC: No Connect – not internally connected.
This device supports various features like sector erase and rapid programming, making it suitable for a wide range of applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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