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LTC4446EMS8E#PBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
- Fabricant
- Mfr. Partie #LTC4446EMS8E#PBF
- Paquet MSOP8
- Fiche de données
- En stock5247
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Spécifications
| Package | Tube |
| ProductStatus | Active |
| DrivenConfiguration | Half-Bridge |
| ChannelType | Independent |
| NumberofDrivers | 2 |
| GateType | N-Channel MOSFET |
| Voltage-Supply | 7.2V ~ 13.5V |
| LogicVoltage-VILVIH | 1.85V, 3.25V |
| Current-PeakOutput(SourceSink) | 2.5A, 3A |
| InputType | Non-Inverting |
| HighSideVoltage-Max(Bootstrap) | 114 V |
| Rise/FallTime(Typ) | 8ns, 5ns |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 85°C |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) Exposed Pad |
Vue d'ensemble
Description
Features
- Dual high-side/low-side MOSFET gate drivers for synchronous buck/boost topologies
- Bootstrapped high-side supply for N-channel MOSFETs
- Independent input/output channels with push-pull drive
- Enable input for each channel
- Undervoltage lockout on both drivers
- Shoot-through protection with dead-time control
- Overcurrent/short-circuit protection
- Suitable for high-speed, high-efficiency switching applications
- 8-lead EMS8E Pb-free package
Note: For exact electrical specs (drive strength, voltage range, timing, etc.), refer to the official datasheet.
Package
Pinout
Function: LTC4446EMS8E#PBF is a dual MOSFET gate-driver IC (two outputs) used to drive a high-side and a low-side N-channel MOSFET in a half-bridge topology. It provides gate drive with features such as level shifting/bootstrapping, undervoltage lockout, and enable/dead-time control typical of high-voltage switching regulators.
Manufacturer
- Company type: American multinational semiconductor company specializing in analog, mixed-signal, and DSP integrated circuits; owner of the Linear Technology product line (LTC) since acquiring Linear Technology in 2017.
Application
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