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L9013RLT1G
Switching Controllers
- Fabricant
- Mfr. Partie #L9013RLT1G
- Paquet
- Fiche de données
- En stock22446
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Spécifications
Vue d'ensemble
Description
The device features a low on-resistance (RDS(on)) of approximately 0.045Ω at a gate-source voltage (VGS) of 10V, enhancing efficiency by minimizing power loss during operation. The L9013RLT1G is packaged in a compact SOT-23 form factor, making it ideal for space-constrained designs. Its fast switching capabilities allow for quick response times, making it effective in high-frequency applications.
This MOSFET is also characterized by its high thermal stability, ensuring reliable performance under varying temperature conditions. Overall, the L9013RLT1G is a versatile component for engineers looking to optimize power efficiency in their designs.
Features
1. Voltage Rating: It has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 30V, making it suitable for various low-voltage applications.
2. Current Capacity: The device can handle continuous drain current (I_D) up to 15A, allowing it to manage substantial power loads.
3. On-Resistance: It features a low R_DS(on) value, typically around 10mΩ at V_GS = 10V, which minimizes power loss during operation.
4. Fast Switching: The MOSFET is designed for quick switching, enhancing efficiency in applications such as switching regulators and motor drivers.
5. Package Type: It comes in a compact SOT-223 package, facilitating easy integration into circuit designs while saving board space.
6. Gate-Source Voltage: With a maximum V_GS of ±20V, it provides flexibility in gate drive configurations.
Overall, the L9013RLT1G is ideal for applications requiring efficient switching and high current handling in a space-saving package.
Package
Pinout
1. Gate 1: Controls the first N-channel MOSFET.
2. Source 1: Connects to the source terminal of the first MOSFET.
3. Drain 1: Connects to the drain terminal of the first MOSFET.
4. Gate 2: Controls the second N-channel MOSFET.
5. Source 2: Connects to the source terminal of the second MOSFET.
6. Drain 2: Connects to the drain terminal of the second MOSFET.
The L9013RLT1G is designed for low voltage and high-speed switching applications, making it suitable for various electronic devices, including power management circuits and signal switching.
Manufacturer
Application
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