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K4B4G1646E-BCK0
- Fabricant
- Mfr. Partie #K4B4G1646E-BCK0
- Paquet
- Fiche de données
- En stock12142
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Spécifications
| Manufacturer | Samsung Electro-Mechanics |
| Package | FBGA-96(7.5x13) |
Vue d'ensemble
Description
This memory chip features a 4GB capacity and operates at a data rate of 1600 MT/s (megatransfers per second), making it suitable for applications requiring efficient data processing. It also has a 64-bit data bus, enabling fast data transfer between the memory and the processor.
The chip is ideal for enhancing system performance, providing improved multitasking capabilities and faster load times for applications. Its low power consumption helps to prolong battery life in portable devices.
In summary, K4B4G1646E-BCK0 is a reliable and efficient memory solution that meets the growing demands of modern computing applications.
Features
1. Density: 4 Gb (Gigabits) capacity.
2. Configuration: Organized as 512 Meg x 16 bits.
3. Speed: Operates at a data rate of up to 1600 MT/s (megatransfers per second).
4. Voltage: Typically operates at 1.5V, with low power options available.
5. Package: Offered in a standard FBGA (Fine Ball Grid Array) package for compact design.
6. Functionality: Supports burst lengths of 4 and 8, allowing for efficient data transfer.
7. Applications: Commonly used in memory modules for laptops, desktops, and servers.
This DRAM component is designed for high performance and efficiency, making it suitable for various computing environments.
Package
Pinout
The primary functions of these pins include:
- Data Pins (DQ): Used for the bi-directional data bus.
- Address Pins (A): Used to select memory locations.
- Command Pins (BA, CS, RAS, CAS, WE): Control the read/write operations, command input, and chip selection.
- Clock Pins (CK, CK#): For synchronizing the data transfer.
- Power and Ground Pins (VDD, VSS): Provide the necessary power supply and ground reference.
- Other Control Pins: Pins for functions like write enable, output enable, and mode register set.
This chip operates at a voltage of 1.5V and supports data rates up to 1066 Mbps (DDR3-1066).
Manufacturer
Application
Equivalent
1. MT41J256M16HA-125 IT: Micron
2. H5TQ4G63AFR-PBA: Hynix
3. ESRAM K4B4G1646E-BCK0: Samsung
Always verify specifications and compatibility before substitution.
Expédition
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