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JS28F256P30BFE
1.7V~2V 256Mbit TSOP-56 Memory (ICs) RoHS
- Fabricant
- Mfr. Partie #JS28F256P30BFE
- Paquet
- Fiche de données
- En stock17195
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Spécifications
| Packaging | TSOP-56 |
| Memory Size | 256Mbit |
| Operating temperature | -40℃~+85℃ |
| Voltage - Supply | 1.7V~2V |
| Page Programming Time (Tpp) | 110ns |
Vue d'ensemble
Description
The JS28F256P30BFE supports fast read speeds, typically up to 85 MHz, making it suitable for executing code directly from the flash memory (XIP). It also features multiple programming and erase modes, enabling efficient data management and flexibility in application development. With its endurance of around 100,000 program/erase cycles and data retention of up to 20 years, it provides reliable long-term storage. The chip is often used in scenarios where firmware updates and data storage are essential, ensuring quick access and durability in demanding environments.
Features
1. Density: 256 Mb (megabits) capacity.
2. Interface: Supports the ONFI (Open NAND Flash Interface) standard for compatibility and ease of integration.
3. Architecture: Employs a page-based architecture, allowing for efficient read and write operations.
4. Data Transfer Rate: Offers fast data transfer rates, enhancing performance in applications.
5. Power Management: Features reduced power consumption modes, making it suitable for battery-operated devices.
6. Endurance: High endurance ratings, ensuring reliability over numerous program/erase cycles.
7. Error Correction: Integrated error-correcting code (ECC) capabilities for data integrity.
8. Temperature Range: Designed to operate within a wide temperature range for various applications.
9. Package Options: Available in different packaging options for flexibility in design.
These features make the JS28F256P30BFE suitable for a variety of applications, including consumer electronics, automotive systems, and industrial applications.
Package
Pinout
The primary functions of its pins include:
1. Data Lines (DQ0-DQ7): These are used for data input/output.
2. Address Lines (A0-A21): These lines are used to select memory addresses.
3. Control Signals: Including Chip Enable (CE), Write Enable (WE), Read Enable (RE), and Output Enable (OE), which control read and write operations.
4. Reset (RST): Used to reset the device.
5. Vcc and GND: Power supply and ground connections.
This device supports NAND Flash memory operations, allowing for the storage and retrieval of data efficiently in embedded applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Micron MT28FW256ABA
2. Winbond W25Q256JV
3. Spansion S29GL256N
4. Macronix MX25L25635F
These alternatives offer similar specifications in terms of capacity and functionality, but always check compatibility for specific applications.
Expédition
Méthodes d'expéditionNous
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Paiements
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