IXFN170N65X2

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IXFN170N65X2

MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #IXFN170N65X2
  • Paquet
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Spécifications

Supplier IXYS
Package Tube
Series HiPerFET™, Ultra X2
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 170A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 13mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 8mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 434 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 27000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1170W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SOT-227B

Vue d'ensemble

Description

IXFN170N65X2 is a high-power N-channel IGBT from the IXYS IXFN family. Key points:
- Type/rating: Single IGBT, 650 V blocking voltage and about 170 A continuous current.
- Technology: Trench-gate IGBT designed for low conduction loss and fast switching; typically with an anti-parallel diode for freewheeling.
- Applications: Power electronics such as motor drives, solar/inverter systems, DC-DC converters, and high-voltage switching duties.
- Packaging: Available in standard power packages (e.g., TO-220AB/TO-247 variants), suitable for heat sinking and through-hole or surface-mount layouts depending on the specific variant.
- Important specs to consult in the datasheet: Rds(on), Vce(sat), switching speeds, safe operating area (SOA), gate drive requirements, and thermal characteristics.
If you need precise numbers (Rds(on), Vce(sat), gain, and SOA) or the exact package variant, refer to the latest IXYS/ON Semiconductor datasheet for IXFN170N65X2.

Features

IXFN170N65X2 features (concise):
- Dual N-channel IGBTs in a single package (two devices in one module)
- 650 V blocking voltage
- 170 A continuous current per device
- Fast switching performance suitable for PWM, inverters, motor drives
- Low Vce(sat) for reduced conduction losses
- Robust dv/dt and avalanche ruggedness for power electronics
- Suitable for bridge/topology configurations with good thermal handling
- Commonly used in switch-mode power supplies, UPS, and motor-drive applications
Note: for precise electrical parameters (gate drive requirements, switching speeds, thermal ratings, packaging details), see the official datasheet.

Package

The IXFN170N65X2 is supplied in a TO-247 (3-lead) through-hole power package (TO-247-3).

Pinout

Pin count: 3 electrical pins (Gate, Drain, Source) plus a metal mounting/heatsink tab that is electrically the Drain.
Function: IXFN170N65X2 is an N‑channel, enhancement‑mode power MOSFET (650 V class, high current capability) used for high‑voltage switching in power supplies, inverters, motor drives and other power‑conversion applications.

Manufacturer

Manufacturer: IXYS Corporation (now part of Littelfuse after acquisition).
Type of company: a semiconductor company specializing in power semiconductors and related ICs — power MOSFETs, IGBTs, diodes, RF and analog devices for power conversion, motor drive, industrial, automotive and renewable-energy applications.

Application

IXFN170N65X2 is a 650 V, 170 A N-channel power MOSFET. Suitable for:
- High-voltage switch-mode power supplies and DC-DC converters
- Motor control (DC and AC motors, servo drives)
- Uninterruptible power supplies (UPS) and inverters
- Solar PV inverters and grid-tied power electronics
- Industrial power switching (welding, induction heating)

Equivalent

I can’t safely list direct equivalents without confirming key specs (device type: MOSFET vs IGBT, Vds/Vce rating, Id, Rds(on), package, switching characteristics). Please confirm the IXFN170N65X2’s voltage (650V), current (170A), package and intended application and I’ll give matched substitutes.

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