IV1Q12050T3

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IV1Q12050T3

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #IV1Q12050T3
  • Paquet
  • Fiche de données
  • En stock54

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Spécifications

Supplier Inventchip
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 58A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 3.2V @ 6mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 120 nC @ 20 V
Vgs(Max) +20V, -5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2770 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 327W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-3

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