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ISL6617AFRZ-T
IC PWM INPUT
- Fabricant
- Mfr. Partie #ISL6617AFRZ-T
- Paquet DFN10
- Fiche de données
- En stock5476
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR) |
| ProductStatus | Active |
| Applications | PWM Doubler |
| Current-Supply | 6mA |
| Voltage-Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 125°C |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 10-VFDFN Exposed Pad |
Vue d'ensemble
Description
Key features of the ISL6617AFRZ-T include adaptive dead-time control to minimize body diode conduction losses, protection mechanisms such as undervoltage lockout, and bootstrapped power supply to drive the high-side MOSFET. Its compact 8-pin SOIC package and wide operating temperature range make it suitable for various power supply designs. The device is commonly used in motherboards, graphics cards, and servers where efficient DC-DC conversion is critical.
Features
1. Dual MOSFET Drive Capability: Capable of driving both high-side and low-side N-channel MOSFETs, enhancing the efficiency of power conversion.
2. Adaptive Shoot-Through Protection: Minimizes dead time and prevents both MOSFETs from conducting simultaneously, reducing losses and enhancing reliability.
3. High-Speed Operation: Designed for high-frequency switching applications, ensuring quick response and efficient power delivery.
4. Integrated Bootstrap Diode: Simplifies the design by providing a built-in bootstrap diode, facilitating the generation of the required gate drive voltage for the high-side MOSFET.
5. Wide Input Voltage Range: Supports a broad range of input voltages, increasing its versatility in various power supply designs.
6. Thermal Protection: Includes thermal shutdown features to protect against overheating, ensuring longevity and stability of the device.
These features make the ISL6617AFRZ-T well-suited for efficient power management in high-performance computing environments.
Package
Manufacturer
Application
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