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IS62WV51216EBLL-45TLI
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
- Fabricant
- Mfr. Partie #IS62WV51216EBLL-45TLI
- Paquet
- Fiche de données
- En stock808
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Spécifications
| Part Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Memory Size | 8Mbit |
| Memory Organization | 512K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | 45ns |
| Access Time | 45 ns |
| Voltage - Supply | 2.2V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Base Product Number | IS62WV51216 |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a wide operating voltage range (typically 2.7V to 5.5V), low power consumption, and asynchronous access. The device supports standard SRAM interface protocols, making it compatible with various microcontrollers and processors. Its package options, including a 44-pin TSOP, facilitate easy integration into diverse circuit designs.
Overall, the IS62WV51216EBLL-45TLI is ideal for applications requiring high-speed data access and storage, combined with low power operation.
Package
Pinout
1. Address Pins (A0-A18): 19 pins used for addressing the memory locations.
2. Data Pins (D0-D15): 16 pins for data input and output.
3. Chip Enable (CE): Activates the device.
4. Output Enable (OE): Enables data output.
5. Write Enable (WE): Controls write operations.
6. Byte Enable (BE): Enables or disables byte operations.
7. VCC: Power supply pin.
8. GND: Ground pin.
This SRAM operates with a supply voltage of 2.7V to 3.6V and is designed for high-speed performance, making it suitable for various applications requiring fast data access.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Cypress CY7C1281KV18
2. Micron MT45W512M16
3. IDT 72V512L15
4. On Semiconductor N25Q512A
Ensure to check the specific electrical and timing characteristics, as they may vary slightly between manufacturers.
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