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IS43TR16256BL-125KBL
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #IS43TR16256BL-125KBL
- Paquet
- Fiche de données
- En stock6823
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Spécifications
| Part Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR3L |
| Memory Size | 4Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 20 ns |
| Voltage - Supply | 1.283V ~ 1.45V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Supplier Device Package | 96-TWBGA (9x13) |
| Base Product Number | IS43TR16256 |
Vue d'ensemble
Description
This DRAM operates at a clock speed of 125 MHz and supports a variety of memory access operations, including read and write cycles. The device features a standard 54-pin TSOP II package, ensuring compatibility with various electronic systems.
Key features include a wide operating voltage range, fast access times, and a simple interfacing process, which makes it ideal for use in consumer electronics, telecommunications, and industrial applications. Overall, the IS43TR16256BL-125KBL provides a reliable solution for applications requiring efficient memory access and low power usage.
Package
Pinout
The pin configuration includes power supply pins, ground pins, data input/output pins, address pins, and control signals (such as clock and chip select). This chip is commonly used in applications requiring high-speed memory access, such as in embedded systems and telecommunications. It operates at a maximum clock frequency of 125 MHz and has a low power consumption profile, making it suitable for portable devices.
Manufacturer
Application
Equivalent
- MT41K256M16HA-125
- Hynix H5TQ2G83BFR
- Samsung K4B4G1646D
Always verify specifications like speed, voltage, and pin configuration before substituting.
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