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IS43DR16640C-25DBLI
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #IS43DR16640C-25DBLI
- Paquet TFBGA-84
- Fiche de données IS43DR16640C-25DBLI DataSheet
- En stock6170
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Active |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR2 |
| MemorySize | 1Gb (64M x 16) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 400 MHz |
| WriteCycleTime-WordPage | 15ns |
| AccessTime | 400 ps |
| Voltage-Supply | 1.7V ~ 1.9V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 84-TFBGA |
Vue d'ensemble
Description
This DRAM operates on a 3.3V power supply and features a double data rate (DDR) interface, allowing for improved data throughput by transferring data on both the rising and falling edges of the clock signal. It includes features such as burst mode operation, which enhances its performance in sequential data access scenarios. The IS43DR16640C-25DBLI is available in a standard 54-ball TFBGA package, facilitating compact designs. Overall, it offers a balance of speed, efficiency, and space-saving characteristics, making it a versatile choice for modern electronic devices.
Features
1. Type: DDR2 SDRAM, which supports high-speed data transfer.
2. Capacity: 64 Meg x 16 bits (1 Gigabit total capacity).
3. Speed: Operates at a clock frequency of 400 MHz (DDR2-800), providing a data rate of 800 MT/s.
4. Voltage: Operates at a low voltage of 2.5V, offering power efficiency.
5. Organization: 64M x 16 configuration, suitable for various applications.
6. Interface: Provides a synchronous dynamic random-access memory interface, ensuring data integrity and synchronization with the system clock.
7. Package: Available in a compact 54-pin TSOP II package, facilitating easy integration into circuit boards.
8. Features: Supports burst mode operation, programmable burst length, and has built-in self-refresh capabilities.
These features make the IS43DR16640C-25DBLI suitable for applications in networking, computing, and consumer electronics that require reliable and high-performance memory solutions.
Package
Pinout
1. Data I/O Pins (DQ0-DQ15): 16 data pins for input/output.
2. Address Pins (A0-A12): 13 address pins for selecting rows and columns.
3. Control Pins:
- CK, CK#: Clock signal inputs.
- CS#: Chip select.
- RAS#, CAS#, WE#: Row address strobe, column address strobe, and write enable, respectively.
4. Burst Length Control: Pins for specifying burst length.
5. Power and Ground Pins: VDD (power) and VSS (ground).
6. Other Control Pins: Includes various functions for operation and configuration.
This chip is designed for high-performance applications and operates at a maximum clock frequency of 200 MHz (DDR).
Manufacturer
Application
Equivalent
1. MT46V64M16P-25
2. Hynix HY57V641620BTT-25
3. Samsung K4S56323F-25
4. Nanya NT5CB256M16DP-25
Ensure compatibility with your specific application, as variations in speed, package type, and voltage may exist.
Expédition
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