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IS42S32160F-7BLI
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #IS42S32160F-7BLI
- Paquet
- Fiche de données
- En stock3174
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Spécifications
| Part Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM |
| Memory Size | 512Mbit |
| Memory Organization | 16M x 32 |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 90-TFBGA |
| Supplier Device Package | 90-TFBGA (8x13) |
| Base Product Number | IS42S32160 |
| Clock Frequency | 143 MHz |
| Access Time | 5.4 ns |
Vue d'ensemble
Description
The IS42S32160F-7BLI is designed in a standard 78-ball FBGA (Fine Ball Grid Array) package, which allows for efficient space utilization on PCB layouts. It supports various features such as burst read/write operations, adjustable burst lengths, and an easy-to-use interface for seamless integration into existing systems. The device is noted for its reliability and performance, making it a popular choice for applications requiring high-speed memory access and efficient power consumption. Overall, the IS42S32160F-7BLI represents a versatile solution for modern electronic designs.
Features
1. Density: 2 Gigabits organized as 256MB x 16.
2. Speed: Operates at a clock frequency of up to 400 Mbps, with data rates of DDR2.
3. Interface: 16-bit data interface, suitable for various applications requiring high-speed memory.
4. Voltage: Operates at a low supply voltage of 1.8V, enhancing power efficiency.
5. Package: Typically available in a 54-ball FBGA (Fine Ball Grid Array) package, facilitating compact designs.
6. Latency: Offers low latency for improved performance in read/write operations.
7. Burst Length: Supports burst lengths of 4 and 8, optimizing data transfer rates.
8. Applications: Commonly used in consumer electronics, networking equipment, and computing systems.
This memory chip is designed for reliability and efficiency in high-performance applications.
Package
Pinout
The primary functions of the pins include:
- Data pins (DQ0-DQ15): Used for data input/output.
- Address pins (A0-A12): To select rows and columns in the memory array.
- Bank address pins (BA0, BA1): To select the bank within the memory.
- Control pins (CS, RAS, CAS, WE): For controlling read/write operations and memory access.
- Clock pin (CLK): Synchronization for data transfer.
- Chip Select (CS): Activates the chip.
- Refresh pin (REF): Used for refreshing the memory.
This configuration allows for efficient data storage and access, making the IS42S32160F suitable for various applications in computing and electronics.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. MT47H64M16 (Micron)
2. K4T1G164EB (Samsung)
3. Hynix H5TQ2G83AFR (SK Hynix)
Always verify compatibility and specifications for your specific application.
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