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IS42S16800F-7TLI
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
- Fabricant
- Mfr. Partie #IS42S16800F-7TLI
- Paquet 54-TSOP
- Fiche de données IS42S16800F-7TLI DataSheet
- En stock7319
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Active |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM |
| MemorySize | 128Mb (8M x 16) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 143 MHz |
| AccessTime | 5.4 ns |
| Voltage-Supply | 3V ~ 3.6V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
The chip is organized as 8 bits wide and has a depth of 16M, making it suitable for various applications that require moderate memory capacity and speed, such as consumer electronics, automotive systems, and networking devices. It operates on a 3.3V supply voltage, aligning with typical requirements for SDRAM components.
Additionally, the IS42S16800F-7TLI is designed with power efficiency in mind, featuring low power consumption modes. Its compact design and reliable performance make it an attractive option for manufacturers looking to enhance their product's memory capabilities.
Features
1. Technology: It is based on Double Data Rate (DDR) SDRAM technology.
2. Speed: Operating at a clock frequency of 133 MHz, with a data rate of 266 MT/s.
3. Access Time: Offers a CAS latency of 2.5, ensuring quick data retrieval.
4. Voltage: Operates at a low voltage of 2.5V, contributing to energy efficiency.
5. Packaging: Typically comes in a TSOP-II (Thin Small Outline Package) form factor, making it suitable for space-constrained applications.
6. Interface: Supports a full-page burst read and write, enhancing performance for sequential data access.
7. Applications: Commonly used in consumer electronics, computers, and various embedded systems.
Overall, the IS42S16800F-7TLI is designed for high-performance and low-power applications, making it a versatile choice in the DRAM market.
Package
Pinout
The pin configuration includes address inputs, data inputs/outputs, control signals, and power/ground connections. Key pins include:
- Address Pins (A0-A10): Used to select the memory location.
- Data Pins (DQ0-DQ15): Bi-directional data bus for reading and writing data.
- Control Pins: Including RAS (Row Address Strobe), CAS (Column Address Strobe), WE (Write Enable), and CS (Chip Select) to control memory operations.
- Power Pins: VDD and VSS for supplying power.
- Clock Pins: For synchronizing operations, if applicable.
This device is utilized in applications requiring reliable and fast memory solutions.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. MT48LC16M16A2P - Micron
2. K4S641632H - Samsung
3. HY57V281620F - Hynix (SK Hynix)
4. MT48LC16M16A2 - Micron (similar density)
Always verify compatibility with specific application requirements before substitution.
Expédition
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