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IS42S16800F-7BLI
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
- Fabricant
- Mfr. Partie #IS42S16800F-7BLI
- Paquet 54-TFBGA
- Fiche de données IS42S16800F-7BLI DataSheet
- En stock7140
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Active |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM |
| MemorySize | 128Mb (8M x 16) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 143 MHz |
| AccessTime | 5.4 ns |
| Voltage-Supply | 3V ~ 3.6V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 54-TFBGA |
Vue d'ensemble
Description
This memory device utilizes a 3.3V power supply and is designed for low power consumption, enhancing its efficiency in portable and battery-operated devices. The "F" in the part number indicates it is in a fine-pitch ball grid array (FBGA) package, which allows for high-density mounting on circuit boards.
The IS42S16800F-7BLI is commonly used in digital signal processing, gaming consoles, and networking hardware, where quick data access and reliability are crucial. It supports a variety of standard memory functions, including random access, burst read/write operations, and refresh capabilities.
Features
Key features include:
- Low power consumption, with a maximum operating voltage of 3.3V.
- Fast access times, with a CAS latency of 3 at 133 MHz.
- Support for burst mode and multiple banks for enhanced performance.
- TSOP II (Thin Small Outline Package) form factor for compact design.
Ideal for use in applications such as networking, telecommunications, and consumer electronics, this memory module provides reliable and efficient data storage solutions.
Package
Pinout
The main functions of the pins include:
- Data Pins (DQ0-DQ7): 8 data input/output pins for data transfer.
- Address Pins (A0-A12): Used to select memory locations.
- Control Pins: Includes Chip Select (CS), Output Enable (OE), Write Enable (WE), and Bank Select (BA0, BA1) for controlling read/write operations and bank selection.
- Clock Pin (CLK): For synchronizing data transfers.
- Refresh Pins (REF): For refreshing the memory content.
- Power and Ground Pins: Including VDD and VSS for power supply and ground connection.
This device operates at a speed of 7 ns, suitable for various applications requiring high-performance memory.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix HY57V281620FTP-7
2. Micron MT48LC16M16A2P-75
3. Samsung K4H560838D-TC50
Always verify specifications and compatibility with your specific application.
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