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IS42S16320D-7TL
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
- Fabricant
- Mfr. Partie #IS42S16320D-7TL
- Paquet 54-TSOP
- Fiche de données
- En stock6515
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Not For New Designs |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | DRAM |
| Technology | SDRAM |
| MemorySize | 512Mb (32M x 16) |
| MemoryInterface | Parallel |
| ClockFrequency | 143 MHz |
| AccessTime | 5.4 ns |
| Voltage-Supply | 3V ~ 3.6V |
| OperatingTemperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
The IS42S16320D-7TL supports a full-speed synchronous operation, with features such as deep pipelining and a burst mode, allowing for high data transfer rates. The chip includes built-in refresh capabilities to maintain data integrity and is compatible with standard SDRAM interfaces. Additionally, it is offered in a compact 54-pin TSOP II package, facilitating ease of integration into circuit boards. Overall, this SDRAM is ideal for applications requiring reliable, fast memory access.
Features
1. Organization: It has a configuration of 16 bits x 16 banks, allowing for efficient data storage and retrieval.
2. Speed: The chip operates at a maximum clock frequency of 133 MHz (7.5 ns cycle time), ensuring fast data access.
3. Voltage: It operates at a supply voltage of 3.3V, which is standard for SDRAM components.
4. Package: The device is available in a 54-ball TFBGA (Thin Fine Ball Grid Array) package, suitable for space-constrained applications.
5. Operating Temperature: It supports a commercial temperature range of 0°C to 70°C.
6. Burst Mode: Supports burst read and write operations, enhancing performance for sequential data access.
7. Compatibility: It is compatible with various memory controllers and can be used in applications such as consumer electronics, networking, and computing devices.
These features make the IS42S16320D-7TL suitable for high-performance memory applications.
Package
Pinout
Key pin functions include:
1. Address Inputs (A0-A10): Used to select the memory location.
2. Data Inputs/Outputs (DQ0-DQ15): For data transfer, 16 bits wide.
3. Clock (CLK): Synchronizes the operations.
4. Chip Select (CS): Activates the chip for operation.
5. Write Enable (WE): Enables write operations.
6. Read Enable (OE): Enables read operations.
7. Burst Control (BL, BA0-BA1): Controls burst length and bank selection.
8. Power (VDD, VSS): Provides power supply and ground.
This device is typically used in applications that require high-speed memory, such as in computers and other digital devices.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. Hynix HY5PS12821CFP-7
2. Micron MT46V32M16P-7
3. Samsung K4S641632H-7
These alternatives may vary in specifications, so it's essential to verify compatibility for specific applications.
Expédition
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