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IS29GL256-70SLEB
IC FLASH 256MBIT PAR 56TSOP I
- Fabricant
- Mfr. Partie #IS29GL256-70SLEB
- Paquet TSOP-56
- Fiche de données IS29GL256-70SLEB DataSheet
- En stock5246
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Spécifications
| Package | Tray |
| ProductStatus | Active |
| MemoryType | Non-Volatile |
| MemoryFormat | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| MemorySize | 256Mb (32M x 8) |
| MemoryInterface | Parallel |
| WriteCycleTime-WordPage | 200µs |
| AccessTime | 70 ns |
| Voltage-Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
This device operates on a single 3V power supply and provides a range of interfaces, making it compatible with various microcontrollers and processors. It includes features like uniform block architecture, hardware protection, and an array of command sets to facilitate ease of use.
The IS29GL256-70SLEB is ideal for applications such as embedded systems, automotive, telecommunications, and consumer electronics, where reliable and fast flash memory is required. It is housed in a 44-pin TSOP package, ensuring compact integration into designs.
Features
1. Memory Density: 256 Mb, organized as 32M x 8 bits or 16M x 16 bits.
2. Access Speed: Offers a maximum access time of 70 ns.
3. Interface: Parallel interface with easy integration into microcontroller systems.
4. Voltage Range: Operates with a supply voltage of 2.7V to 3.6V for reading and programming.
5. Endurance: Supports a minimum of 100,000 program/erase cycles.
6. Data Retention: Ensures data retention of 20 years or more at 85°C.
7. Program/Erase Features: Supports sector erase and page programming for efficient memory management.
8. Low Power Consumption: Designed for low power operation, suitable for battery-powered applications.
9. Security Features: Includes features like chip erase and protection against accidental writes.
This device is ideal for applications in consumer electronics, automotive, and industrial systems requiring reliable non-volatile storage.
Package
Pinout
Pin Functions:
1. Address Pins (A0-A21): Used to select memory locations.
2. Data Pins (DQ0-DQ15): Bi-directional data bus for reading and writing data.
3. Control Pins:
- Chip Enable (CE): Enables the device for operation.
- Write Enable (WE): Controls write operations.
- Output Enable (OE): Enables output during read operations.
4. Reset (RESET): Resets the device.
5. VCC: Power supply.
6. GND: Ground connection.
7. Byte/Word (B/W): Selects data bus width (byte or word).
8. A-1 to A18: Address lines for accessing memory.
The device supports asynchronous read and write operations, making it suitable for a variety of applications in consumer and industrial electronics.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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Paiements
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