Les images sont à titre de référence seulement
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRLR120NTRPBF
- Paquet TO-252-3,DPAK(2Leads+Tab),SC-63
- Fiche de données IRLR120NTRPBF DataSheet
- En stock3429
100% original & Nouveau
24 heures prêtes à expédier
Garantie 365 jours
RFQ et Obtenez plus de rabais
Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | HEXFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 185mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±16V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 440 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 48W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D-Pak |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Voltage Rating: Maximum drain-source voltage of 30V, suitable for low-voltage applications.
2. Current Rating: Continuous drain current of up to 120A, allowing for high power handling.
3. RDS(on): Low on-resistance (typically around 0.03 ohms), which minimizes conduction losses and improves efficiency.
4. Gate Threshold Voltage: Low gate-to-source threshold voltage (VGS(th)) around 2V to 4V, enabling operation with lower drive voltages.
5. Package: Available in a DPAK package, which provides good thermal performance and ease of mounting.
6. Fast Switching: High-speed switching capabilities make it suitable for applications requiring quick response times.
7. Thermal Resistance: Low thermal resistance for better heat dissipation, supporting high-power applications.
These features make the IRLR120NTRPBF ideal for automotive, industrial, and consumer electronics applications.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the MOSFET's switching.
2. Drain (D): The output terminal where the load is connected.
3. Source (S): The terminal that connects to the ground or negative side of the power supply.
This MOSFET is designed for high-speed switching applications and is characterized by low on-resistance (Rds(on)) and high current carrying capability, making it suitable for power management and motor control applications. It can handle a maximum drain-source voltage (Vds) of 60V and a continuous drain current (Id) of up to 120A, depending on thermal management.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
Méthodes d'expéditionNous
offrir des services d'expédition mondiaux par DHL, FedEx, TNT, UPS ou tout autre expéditeur de votre choix.
Référence des frais d'expédition (DHL/FedEx):
DHL: Les frais d'expédition vont de 25 à 45 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 2 à 5 jours ouvrables.
FedEx: Les frais d'expédition varient de 25 à 40 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.
UPS: Les frais d'expédition vont de 25 à 45 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.
TNT: Les frais d'expédition varient de 25 à 65 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 3 à 7 jours ouvrables.
EMS: Les frais d'expédition varient de 30 à 50 $ (0,5 kg), avec un délai de livraison estimé de 7 à 15 jours ouvrables.
Courrier aérien enregistré: Le coût d'expédition est de 2 à 4 $ (0,1 kg), avec un délai de livraison estimé de 5 à 20 jours ouvrables.
Paiements
Payment Methods
Le terme de paiement est 100% prépayé.
Actuellement, nous n'acceptons que les méthodes de paiement ci-dessous:
1. PayPal
2. Carte de crédit/débit
3. Transfert bancaire
Similaire
-
MX25R8035FM1IL0
Macronix
-
MX25V1635FZNQ03
Macronix
-
MX25V4035FZUI
Macronix
-
MX25V2033FM1I
Macronix
-
MX25L25673GMI-10G
Macronix
-
MX25U51279GXDR00
Macronix
-
MX25L2006EM1I-12G
Macronix
-
MX25U3232FZBI02
Macronix
-
MX25L12833FM2I-10..
Macronix
-
MX29F040CQI-70G
Macronix
-
MX25L25645GXDI-08..
Macronix
-
MX30LF4G18AC-TI
Macronix