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IRL2910PBF
MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRL2910PBF
- Paquet TO-220-3
- Fiche de données IRL2910PBF DataSheet
- En stock3763
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Spécifications
| Package | Tube |
| Series | HEXFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 55A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 26mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 140 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±16V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 3700 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 200W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-220AB |
Vue d'ensemble
Description
Key features of the IRL2910PBF include a wide input voltage range, low quiescent current, and thermal shutdown protection, ensuring reliability and efficiency. It is often used in circuits requiring a consistent voltage supply, such as microcontrollers and other digital devices. Overall, the IRL2910PBF is valued for its performance, compact design, and ease of integration into various electronic systems.
Features
1. V_DS (Drain-Source Voltage): Rated up to 30V, allowing for versatile application in various circuits.
2. I_D (Continuous Drain Current): Can handle up to 65A, suitable for high-current applications.
3. R_DS(on): Low on-resistance of approximately 0.04 ohms at V_GS = 10V, which minimizes power loss during operation.
4. Gate Threshold Voltage (V_GS(th)): Typically ranges from 1V to 2.5V, ensuring efficient switching with low gate drive voltage.
5. Package Type: Available in a TO-220 package, providing good thermal performance for heat dissipation.
6. Fast Switching Speed: Ideal for applications requiring rapid turn-on and turn-off, such as power supplies and motor control.
Overall, the IRL2910PBF is optimized for efficiency and performance in a range of electronic applications.
Package
Manufacturer
Application
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